Студопедия — Методические указания к выполнению работы. 3.2.1 Установить печатную плату ЕВ – 111, которая содержит схему на рисунке 2.1, в стенд PU 2000 от DEGEM system.
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Методические указания к выполнению работы. 3.2.1 Установить печатную плату ЕВ – 111, которая содержит схему на рисунке 2.1, в стенд PU 2000 от DEGEM system.






3.2.1 Установить печатную плату ЕВ – 111, которая содержит схему на рисунке 2.1, в стенд PU 2000 от DEGEM system.

3.2.2 Измерить сопротивления резисторов Rv1, R4, R5.

3.2.3 Собрать схему для снятия входной характеристики Iб = f(Uбэ) транзистора при напряжении на коллекторе U кэ = 0В (см. рисунок 3.1),

3.2.4 При помощи переменного резистора Rv1 изменять базовый ток с интервалом 10 мкА, измеренные значения напряжения базы Uбэ занести в таблицу 3.1.

 

Рисунок 3.1 – Схема для снятия входной характеристики биполярного транзистора при напряжении на коллекторе, равном нулю

Таблица 3.1

, µA                    
Uбэ, В                    

 

3.2.5 Собрать схему для снятия входных характеристик Iб =f(Uбэ) биполярного транзистора при фиксированных напряжениях на коллекторе Uкэ =5В и Uкэ =10В (см. рисунок 3.2).

3.2.6 С помощью регулятора источника питания PS-1 установить коллекторное напряжение Uкэ =5В.

3.2.7 При помощи переменного резистора Rv1 изменять базовый ток, измеренные значения напряжения базы Uбэ заносить в таблицу 3.2.

3.2.8 С помощью регулятора источника питания PS-1 установить коллекторное напряжение Uкэ =10В.

3.2.9 При помощи переменного резистора Rv1 изменять базовый ток, измеренные значения напряжения базы Uбэ заносить в таблицу 3.2.

 

Рисунок 3.2 – Схема для снятия входных характеристик биполярного транзистора при напряжениях на коллекторе 5В и 10В

 

Таблица 3.2

Iб, µA              
Uбэ, В при Uкэ =5 В            
Uбэ, В при Uкэ =10 В            

 

3.2.10 Собрать схему для снятия выходной характеристики

Iк =f(Uкэ) транзистора при токе базы, равном нулю (см. рисунок 3.3).

3.2.11 С помощью регулятора источника питания PS-1 изменять коллекторное напряжение от нуля до 9В с интервалом 1В, значения тока коллектора занести в таблицу 3.3.

3.2.12 Собрать схему для снятия выходных характеристик Iк =f(Uкэ) транзистора при фиксированных токах базы (см. рисунок 3.4).

3.2.13 При помощи переменного резистора Rv1 установить базовый ток 20мкА, с помощью регулятора источника питания PS-1 изменять коллекторное напряжение от нуля до 9В с интервалом 1В, значения тока коллектора занести в таблицу 3.3.

Рисунок 3.3 – Схема для снятия выходной характеристики транзистора при

токе базы, равном нулю

 

3.2.14 Снять характеристики Iк =f(Uкэ) при заданных токах базы.

Рисунок 3.4 – Схема для снятия семейства выходных характеристик биполярного транзистора при заданных токах базы

 

Таблица 3.3

Iб, µA Iк, при Uкэ=1В Iк, при Uкэ=2В Iк, при Uкэ=3В Iк, при Uкэ=4В Iк, при Uкэ=5В Iк, при Uкэ=6В Iк, при Uкэ=7В Iк, при Uкэ=8В Iк, при Uкэ=9В
                   
                   
                   
                   
                   
                   

 







Дата добавления: 2015-10-12; просмотров: 388. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...

Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...

Теория усилителей. Схема Основная масса современных аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств выполняется на специализированных микросхемах...

Условия, необходимые для появления жизни История жизни и история Земли неотделимы друг от друга, так как именно в процессах развития нашей планеты как космического тела закладывались определенные физические и химические условия, необходимые для появления и развития жизни...

Метод архитекторов Этот метод является наиболее часто используемым и может применяться в трех модификациях: способ с двумя точками схода, способ с одной точкой схода, способ вертикальной плоскости и опущенного плана...

Примеры задач для самостоятельного решения. 1.Спрос и предложение на обеды в студенческой столовой описываются уравнениями: QD = 2400 – 100P; QS = 1000 + 250P   1.Спрос и предложение на обеды в студенческой столовой описываются уравнениями: QD = 2400 – 100P; QS = 1000 + 250P...

Этические проблемы проведения экспериментов на человеке и животных В настоящее время четко определены новые подходы и требования к биомедицинским исследованиям...

Классификация потерь населения в очагах поражения в военное время Ядерное, химическое и бактериологическое (биологическое) оружие является оружием массового поражения...

Факторы, влияющие на степень электролитической диссоциации Степень диссоциации зависит от природы электролита и растворителя, концентрации раствора, температуры, присутствия одноименного иона и других факторов...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.008 сек.) русская версия | украинская версия