Студопедия — Примесные полупроводники. Полупроводники любой степени чистоты всегда содержат примесные атомы, создающие собственные энергетические уровни
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Примесные полупроводники. Полупроводники любой степени чистоты всегда содержат примесные атомы, создающие собственные энергетические уровни






Полупроводники любой степени чистоты всегда содержат примесные атомы, создающие собственные энергетические уровни, получившие название примесных уровней. Эти уровни могут располагаться в запрещенной зоне полупроводника на различных расстояниях от вершины валентной зоны и дна зоны проводимости. Основные типы примесных уровней - донорные и акцепторные.

К донорным примесям относятся элементы периодической системы Менделеева, валентность которых на единицу больше, чем у атомов основного элемента полупроводника.

Пусть в кристалле германия часть атомов замещена атомами мышьяка. Для установления связи с соседними атомами Ge атом As расходует четыре валентных электрона, пятый в образовании связи не участвует. Его связь с ядром атома As ослаблена в ε раз (ε=16 -диэлектрическая проницаемость германия) и составляет ΕD»0,01 эΒ. Энергетические уровни атомов мышьяка размещаются непосредственно у дна зоны проводимости, на расстоянии Ed от нее.·

При сообщении электрону энергии Ed (Т>0 К) он отрывается от атома As и приобретает способность свободно перемещаться в решетке германия, превращаясь в электрон проводимости (рис.7, а). Образующиеся при этом положительные заряды локализуются на неподвижных атомах As (положительные ионы As+) и в электропроводимости не участвуют. Поэтому полупроводники, содержащие донорную примесь, называются электронными полупроводниками или полупроводниками n-типа. Зонная структура такого полупроводника при Т>0 К показана на рис.7, б.

а) б)

Рис.7

К акцепторным примесям относятся элементы периодической системы Менделеева, валентность которых на единицу меньше, чем у собственного полупроводника.

Пусть в кристалле германия часть атомов замещена атомами индия, валентность которых равна трем. Трехвалентные примеси приводят к появлению в запрещенной энергетической зоне акцепторных уровней, располагающихся вблизи валентной зоны.

Для образования связей с четырьмя ближайшими соседями у атома индия не хватает одного электрона. С повышением температуры этот электрон может быть заимствован у соседнего атома германия (рис.8,а). Для этого требуется энергия EA=0,01 эВ. Связываясь с атомом индия, электрон теряет способность к перемещению и в проводимости не участвует. Разорванная связь у атома Ge представляет собой дырку, так как она отвечает образованию в валентной зоне германия вакантного состояния (рис.8,б). Поэтому полупроводники, содержащие акцепторные примеси, называются дырочными полупроводниками или полупроводниками р-типа.

 

       
 
а)
 
б)

 


Рис. 8

Итак, в примесных полупроводниках проводимость обусловлена в основном носителями одного знака: электронами в полупроводниках донорного типа и дырками в полупроводниках акцепторного типа. Эти носители называют основными. Помимо них полупроводники всегда содержат неосновные носители: донорный полупроводник — дырки, акцепторный полупроводник — электроны. Неосновные носители появляются в полупроводнике за счет перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости. На месте ушедших электронов в валентной зоне остаются дырки. Это происходит при достаточно высоких температурах.








Дата добавления: 2015-10-12; просмотров: 384. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...

Теория усилителей. Схема Основная масса современных аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств выполняется на специализированных микросхемах...

Логические цифровые микросхемы Более сложные элементы цифровой схемотехники (триггеры, мультиплексоры, декодеры и т.д.) не имеют...

Конституционно-правовые нормы, их особенности и виды Характеристика отрасли права немыслима без уяснения особенностей составляющих ее норм...

Толкование Конституции Российской Федерации: виды, способы, юридическое значение Толкование права – это специальный вид юридической деятельности по раскрытию смыслового содержания правовых норм, необходимый в процессе как законотворчества, так и реализации права...

Значення творчості Г.Сковороди для розвитку української культури Важливий внесок в історію всієї духовної культури українського народу та її барокової літературно-філософської традиції зробив, зокрема, Григорій Савич Сковорода (1722—1794 pp...

Случайной величины Плотностью распределения вероятностей непрерывной случайной величины Х называют функцию f(x) – первую производную от функции распределения F(x): Понятие плотность распределения вероятностей случайной величины Х для дискретной величины неприменима...

Схема рефлекторной дуги условного слюноотделительного рефлекса При неоднократном сочетании действия предупреждающего сигнала и безусловного пищевого раздражителя формируются...

Уравнение волны. Уравнение плоской гармонической волны. Волновое уравнение. Уравнение сферической волны Уравнением упругой волны называют функцию , которая определяет смещение любой частицы среды с координатами относительно своего положения равновесия в произвольный момент времени t...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.012 сек.) русская версия | украинская версия