ДиффузияМетодом диффузии создаются p-n -переходы по биполярной технологии, а также истоки и стоки при МОП-технологии. Для диффузии в кремний в качестве акцептора используется бор, а в качестве доноров – фосфор и мышьяк. Процесс диффузии обычно проводят в два этапа. На первом осуществляют предварительное нанесение примеси. На втором добиваются проникновения примеси в глубь кремния (перераспределение концентрации). На первом этапе примеси распределяются по поверхности под действием стационарного неограниченного источника примеси. При этом удается создать равномерно легированные профили. Распределение концентрации
где После предварительного нанесения примесей на поверхности пластины создается слой, который далее диффундирует в глубь материала (происходит перераспределение примесей). Имеет место диффузия из ограниченного источника примесей. Глубина диффузии зависит от температуры и времени нагрева пластины. Распределение концентрации
где
Рисунок 1. Графики гауссовского распределения (1) и распределения типа дополнительной функции ошибок (2)
|
по расстоянию от поверхности x в момент времени t описывается выражением
(1)
– концентрация примесей на поверхности, 
– коэффициент диффузии, 
– дополнительная функция ошибок. Значение данной функции представлены графиком 2 на рис. 1.
, которое возникает в результате двух этапов диффузии, описывается гауссовской функцией
(2)
– число атомов примеси, осажденное на единицу площади полупроводника. Значение данной функции представлены графиком 1 на рис. 1.
