Включение диода

 

Рассмотрим явления, происходящие в диоде при прохождении через него прямоугольного импульса тока. Диод условно можно представить в виде электрической схемы, показанной на рис.6.

 

 

Рис.6 Эквивалентная схема диода.

 

Сопротивление базы R_б выделено как некоторое внешнее сопротивление, последовательно включенное с сопротивлением p-n перехода. Параллельно p-n переходу включена емкость С_Д, учитывающая барьерную емкость перехода. Вся цепь шунтируется емкостью корпуса прибора Скорп.

Проанализируем осциллограмму напряжения на диоде. Емкость корпуса прибора учитывать не будем. На рис.7. приведены осциллограммы напряжения на базе U_б на p-n переходе диода Uпер и суммарная осциллограмма, отражающая полное напряжение на диоде Uд.

Рис.7. Временные диаграммы напряжения при прохождении через диод прямоугольного импульса тока: а) напряжение на базе диода; б) напряжение на переходе; в) суммарное напряжение.

 

В начальный момент времени напряжение на диоде U₁ определяется величиной импульса тока и сопротивлением базы. Напряжение на переходе, шунтированном емкостью, отсутствует. По мере накопления дырок в базе сопротивление и, следовательно, напряжение на ней уменьшается. Напряжение на переходе увеличивается, так как емкость перехода заряжается. В момент окончания импульса тока напряжение на базе скачком падает до нулевого значения. Величина скачка определяется сопротивлением базы и амплитудой импульса тока.

Изменение сопротивления базы при заполнении ее носителями заряда называют модуляцией сопротивления базы.

Величину базового сопротивления можно найти. Измеряя начальное падение напряжения на диоде U₁. Зависимость сопротивления базы то тока диода определяется изменением перепада напряжения (U₂-U₃) после окончания импульса тока.

В заключение отметим, что напряжение на диоде после подачи импульса тока может увеличиваться. Это происходит в том случае, если начальное сопротивление базы диода мало.