Студопедия — Теория ДЛВО.
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Теория ДЛВО.






Основные допущения теории ДЛВО:

1) Бесконечная твердая плоская поверхность.

2) Равномерная плотность поверхностного заряда.

3) Нет перераспределения поверхностного заряда, т.е. поверхностный электрический потенциал остается постоянным.

4) Концентрационные профили обоих типов противоположных ионов и поверхностный заряд определяемых ионов не изменяются, т е электрический потенциал остается неизменным.

5) Растворитель оказывает влияние только на диэлектрическую постоянную. В начало

Некоторые предположения теории ДЛВО далеки от реальной картины двух частиц, распределенных в суспензии. Например, поверхность частиц не является бесконечной плоскостью, и плотность поверхностного заряда, очень вероятно, изменяется, когда две заряженные частицы приближаются одна к другой. Однако, несмотря на допущения, эта теория хорошо работает в объяснении взаимодействия между двумя приближающимися электрически заряженными частицами, и это хорошо согласуется с исследованиями коллоидной химии.

Схема ДЛВО потенциала.

 

потенциал притяжения Ван дер Ваальса, электростатический отталкивающий потенциал и комбинация двух противоположных потенциалов как функция от расстояния до поверхности сферических частиц.

На дальних расстояниях от твердой поверхности, оба потенциала Ван дер Ваальса притягивающий (VA) и электростатический отталкивающий (VR), понижаются до нуля. Вблизи поверхности расположен глубокий минимум

потенциальной энергии, создаваемый притяжением Ван дер Ваальса. Максимум находится немного дальше от поверхности, так как электрический отталкивающий потенциал доминирует над потенциалом притяжения Ван дер Ваальса. Этот максимум известен также как отталкивающий барьер.

Так как электрический потенциал зависит от концентрации и валентности противоположных ионов (ур-я (4) и (5)) а притягивающий потенциал Ван дер Ваальса почти не зависит от этих переменных, полный потенциал будет в значительной степени зависеть от вышеуказанных величин. В результате, с повышением концентрации и валентности ионов противоположного знака наблюдается быстрое уменьшение электростатического потенциала. В результате отталкивающий барьер уменьшается и его положение меняется в направлении поверхности частицы. Второй минимум наблюдается только в тех случаях, когда концентрация ионов противоположного знака достаточно высока. В начало

В этом случае частицы, вероятно, будут объединяться друг с другом; это явление известно флоккуляция (выпадение осадков в виде хлопьев).

Когда две частицы находятся далеко друг от друга или расстояние между их поверхностями больше, чем общая толщина двух электрических слоев, перекрывания двойных диффузионных слоем не происходит и отталкивание частиц также не будет наблюдаться. По мере приближения частиц двойные электрические слои начинают перекрываться, и силы отталкивания увеличиваются. Отталкивание достигает максимума, когда расстояние между частицами становится равным расстоянию между отталкивающим барьером и поверхностью.







Дата добавления: 2015-08-17; просмотров: 1269. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Вычисление основной дактилоскопической формулы Вычислением основной дактоформулы обычно занимается следователь. Для этого все десять пальцев разбиваются на пять пар...

Расчетные и графические задания Равновесный объем - это объем, определяемый равенством спроса и предложения...

Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...

Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...

Правила наложения мягкой бинтовой повязки 1. Во время наложения повязки больному (раненому) следует придать удобное положение: он должен удобно сидеть или лежать...

ТЕХНИКА ПОСЕВА, МЕТОДЫ ВЫДЕЛЕНИЯ ЧИСТЫХ КУЛЬТУР И КУЛЬТУРАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА МИКРООРГАНИЗМОВ. ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОЛИЧЕСТВА БАКТЕРИЙ Цель занятия. Освоить технику посева микроорганизмов на плотные и жидкие питательные среды и методы выделения чис­тых бактериальных культур. Ознакомить студентов с основными культуральными характеристиками микроорганизмов и методами определения...

САНИТАРНО-МИКРОБИОЛОГИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВОДЫ, ВОЗДУХА И ПОЧВЫ Цель занятия.Ознакомить студентов с основными методами и показателями...

Различие эмпиризма и рационализма Родоначальником эмпиризма стал английский философ Ф. Бэкон. Основной тезис эмпиризма гласит: в разуме нет ничего такого...

Индекс гингивита (PMA) (Schour, Massler, 1948) Для оценки тяжести гингивита (а в последующем и ре­гистрации динамики процесса) используют папиллярно-маргинально-альвеолярный индекс (РМА)...

Методика исследования периферических лимфатических узлов. Исследование периферических лимфатических узлов производится с помощью осмотра и пальпации...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.01 сек.) русская версия | украинская версия