Студопедия — Нелинейные искажения в усилителе с обратной связью
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Нелинейные искажения в усилителе с обратной связью






.

 

Отрицательная обратная связь в (1 + Кub) раз снижает сигнал гармоник, возникающий из-за нелинейных искажений в тех каскадах усилителя, которые охвачены обратной связью. Аналогичное влияние отрицательная обратная связь оказывает на напряжение помех (фон, наводки и др.).

С целью снижения нелинейных искажений отрицательная обратная связь широко применяется в выходных каскадах, имеющих наибольший диапазон выходных напряжений.

 

 

16) Источники напряжения. К источникам напряжения относят источники электромагнитной энергии, в которых напряжения на зажимах источника мало зависит от тока (рис. 1).

 

Если Rвн условно вынести за пределы источника, то получим идеальный источник напряжения.

Источники тока – это источники электромагнитной энергии, в которых ток слабо зависит от напряжения, которое создается на зажимах источника (нагрузки) (рис. 2). Предполагается, что источник тока имеет малую внутреннюю проводимость Iн = I - Ugвн, Iн мало зависит от U при gвн ® 0. Если условно вынести gвн за пределы источника, то получим идеальный источник тока.

 


17) Токовое зеркало – это электронное устройство, выходной ток которого равен входному как по величине, так и по направлению (рис. 6). По существу является источником тока (управляемый током), коэффициент передачи которого, равен единице. Для нормальной работы токового зеркала необходимо, чтобы параметры транзисторов Т1 и Т2 были полностью идентичны.

Транзистор Т1 используется в диодном включении, т.к. Uкб = 0. Коллекторный и базовый токи связаны соотношением Iк = h21Iб, кроме того Uб-э1 = Uб-э2, но при этом Iк1 = Iк2.

Для входного тока можно записать:

Iвх = Iк1 + Iб1 + Iб2 или , откуда .

Для современных транзисторов h21 >> 1, поэтому Iк1 = Iвх = Iк2.

При h21 = 50, d = 4 %. Если эта погрешность велика, то применяют более сложные схемы.

 







Дата добавления: 2015-04-19; просмотров: 539. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...

Теория усилителей. Схема Основная масса современных аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств выполняется на специализированных микросхемах...

Логические цифровые микросхемы Более сложные элементы цифровой схемотехники (триггеры, мультиплексоры, декодеры и т.д.) не имеют...

Особенности массовой коммуникации Развитие средств связи и информации привело к возникновению явления массовой коммуникации...

Тема: Изучение приспособленности организмов к среде обитания Цель:выяснить механизм образования приспособлений к среде обитания и их относительный характер, сделать вывод о том, что приспособленность – результат действия естественного отбора...

Тема: Изучение фенотипов местных сортов растений Цель: расширить знания о задачах современной селекции. Оборудование:пакетики семян различных сортов томатов...

Этические проблемы проведения экспериментов на человеке и животных В настоящее время четко определены новые подходы и требования к биомедицинским исследованиям...

Классификация потерь населения в очагах поражения в военное время Ядерное, химическое и бактериологическое (биологическое) оружие является оружием массового поражения...

Факторы, влияющие на степень электролитической диссоциации Степень диссоциации зависит от природы электролита и растворителя, концентрации раствора, температуры, присутствия одноименного иона и других факторов...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.009 сек.) русская версия | украинская версия