Классификация полупроводниковых запоминающих устройств.

Запоминающие устройства (ЗУ)мож­но классифицировать в зависимости от особенностей их построения, фун­кционирования, по назначению, по способу адресации, характеру хране­ния и т. д. Табл. 1.1.6.

По назначению различаются сверхоперативные (СОЗУ), буферные (БЗУ), оперативные (ОЗУ), постоян­ные (ПЗУ) и внешние (ВЗУ) запо­минающие устройства. Такое деление связано с особенностями использова­ния и специфичностью характери­стик ЗУ.

По способу адресации ЗУ делятся на ЗУ с произвольным, последова­тельным (циклическим) и ассоциа­тивным доступом. Произвольный до­ступ позволяет в любой момент вре­мени обратиться к любой ЗЯ. При последовательном доступе, обращение к конкретной ЗЯ возможно только после перебора всех адресов от теку­щей ячейки до заданной. Такой доступ реализуется в сдвиговых реги­страх.

По технологии изготовления ЗУ делятся на биполярные (ТТЛ -, ТТЛШ-, ЭСЛ-, И2Л-технологии) и униполярные (р-МОП-, м-МОП-, КМОП-, МНОП- и ЛИЗМОП-технологии).

ОЗУ, в свою очередь, подразделя­ются на статические и динамические. В статических ОЗУ запоминающая ячейка представляет собой бистабильный триггерный элемент, что определяет потенциальный характер управляющих сигналов и возмож­ность считывания информации без ее разрушения. В динамических ОЗУ запоминающая ячейка выполнена на основе конденсатора, сформирован­ного внутри полупроводникового кристалла. Такая ЗЯ нуждается в пе­риодическом восстановлении (реге­нерации) заряда.

Таблица 1.2.6.

1.2.7. Классификация изделий оптоэлектроники.

Оптоэлектроника – это раздел электроники, связанный главным об­разом с изучением эффектов взаимо­действия между электромагнитными волнами оптического диапазона и электронами вещества (преимущественно твердых тел) и охватывающий проблемы создания оптоэлектронных приборов (в основном методами микроэлектронной технологии), в ко­торых эти эффекты используются для генерации, передачи, обработки, хранения и отображения информации. Структурная схема оптоэлект­ронного прибора приведена в.

Согласно этому определению оптоэлектронику как научно-техниче­ское направление характеризуют три отличительные черты.

1. Физическую основу оптоэлектроники составляют явления, методы, средства, для которых принципи­альны сочетания и неразрывность оптических и электронных процес­соВ В широком смысле оптоэлектронное устройство определяется как прибор, чувствительный к электро­магнитному излучению в видимой, инфракрасной (ИК) или ультрафио­летовой (УФ) областях, или прибор, излучающий и преобразующий неко­герентное или когерентное излучение в этих же спектральных областях.

2. Техническую основу оптоэлектроники определяют конструктивно-технологические принципы совре­менной микроэлектроники: миниа­тюризация элементов; предпочти­тельное развитие твердотельных пло­скостных конструкций; интеграция элементов и функций; ориентация на специальные сверхчистые материа­лы; применение методов групповой обработки изделий.

3. Функциональное назначение оптоэлектроники состоит в решении задач информатики: генерации ин­формации путем преобразования различных внешних воздействий в соответствующие электрические и оптические сигналы; переноса ин­формации; преобразования инфор­мации по заданному алгоритму; хра­нения информации; отображения ин­формации.

В соответствии с классификацией изделий некогерентной оптоэлектроники оптоэлектронные приборы (ОЭП) разделяются по виду оптоэлектронного преобразования сигналов, (преобразование «электри­чество–свет» реализуется в излуча­ющих приборах), уровню интегра­ции, функциональному применению и конструктивному исполнению. Каждая из выделенных групп ОЭП, по-видимому, будет в дальнейшем пополняться новыми приборами и устройствами.

Отметим основные достоинства, присущие оптоэлектронике.

Высокая пропускная способность оптического канала. Частота колеба­ний на три–пять порядков выше, чем в освоенном радиотехническом диапазоне. Это значит, что во столько же раз возрастает, и пропускная спо­собность оптического канала переда­чи информации.

Высокая плотность записи опти­ческой информации. Согласно диф­ракционной теории поток излучения принципиально может быть сфокуси­рован до пятна с поперечным линей­ным размером около l/2; таков же и минимальный шаг дискретности воздействий. Это значит, что макси­мальная плотность записи оптиче­ской информации может достигать 4/l², т. е. 10⁹... 10¹⁰ бит/см².