Список літератури. 1. Прищепа М.М. Мікроелектроніка. 1. Прищепа М.М. Мікроелектроніка

 

1. Прищепа М.М. Мікроелектроніка. Ч.1. Елементи мікроелектроніки / М.М.Прищепа, В.П.Погребняк. - Київ: Вища школа, 2004. - 432 с.

2. Ігумнов Д.В.Основи мікроелектроніки / Д.В. Ігумнов, Г.В. Корольов, І.С. Громов.– Київ: Вища школа, 2004. – 252 с.

3. Ефимов И.Е. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность / И.Е. Ефимов, И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов. - М.: Высшая школа, 1986. -464 с.

4. Однодворець Л.В. Основи мікроелектроніки. – Суми: Вид-во СумДУ, 2005. – 112 с.

 

 

Заняття 3. Фізичні процеси в p-n -переході

 

Методичні вказівки. При розв’язуванні задач використовуються такі співвідношення:

1) висота потенціального бар’єра визначається за умов, що p-n- перехід виникає в тому місці пластини, де концентрація акцепторної домішки дорівнюватиме концентрації донорної домішки:

 

де k – стала Больцмана; Т – температура; q – заряд електрона; і - концентрації акцепторної і донорної домішок відповідно;

2) товщину області просторового заряду можна визначити за формулою

де - діелектрична проникність середовища (у даному випадку повітря =1); - універсальна діелектрична стала ( =8, 85^.10^-12 Ф/м.);

3) максимальна напруженість електричного поля фіксується на «металургійній» межі переходу (при х =0) і може бути розрахована за формулою:

де k_T – градієнт концентрації;

4) питома ємність за умов рівноваги і зовнішнього зміщення ;

5) концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду можна визначити за формулами

де - напруга прямого зміщення;

6) концентрації неосновних носіїв заряду в кожній із областей за умов рівноваги та визначаються за законом діючих мас на межі «металургійного» переходу ;

7) для розрахунку повного струму скористаємося формулою

де W_n і W_p - товщина областей у напрямі проходження електронів та дірок відповідно; L_n і L_p - дифузійна довжина електронів в області p -типу та дірок в області n -типу відповідно; U_T – значення напруги при конкретній температурі; D_n і D_p - коефіцієнти дифузії електронів і домішок відповідно;

8) зворотний струм насичення діода розраховується за формулою

9) вольт-амперна характеристика ідеального діода описується за формулою ;

10) величина струму насичення може бути розрахована за діодною або дифузійною теоріями ;

11) ширина області просторового заряду визначається за формулою .