Студопедия — Исследование фотопроводимости полупроводников
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Исследование фотопроводимости полупроводников

7.1. Фінансування клініки здійснюється за рахунок коштів Університету, Інституту, випускової кафедри МП, грантів міжнародних та українських організацій, благодійних внесків громадян і організацій та інших джерел, не заборонених чинним законодавством України.

ПЕНЗЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

кафедра микроэлектроники

 

 

Отчет

По лабораторной работе

Исследование фотопроводимости полупроводников

 

Выполнил студент гр. 09-ЕН1

Юрина С.Ю.

Винокурова А.Г.

Брагина Л.М.

Проверил преподаватель

Печерская Е.А.

Аношкин Ю.В.

 


Цель работы: изучение электрических и оптических явлений в полупроводниках, основных характеристик и параметров оптоэлектронных приборов.

Практическая часть

1. Исследование вольт-амперных характеристик светоизлучательных диодов

Схема № 1

Объект исследования ФД; Материал:

La, нм U1, В U2, В I1, мкА I2, мА
  2,024 1,108 0,3348 0,001577
  2,026 1,145 0,4017 0,03069
  2,027 1,179 0,4017 0,1001
  2,03 1,199   0,1869
  2,034 1,24   0,5382
  2,037 1,259 0,06694 0,8606
  2,054 1,281   1,744
  2,056 1,3 0,06696 2,914
  2,055 1,321 -0,06695 5,4
  2,058 1,335 -0,3349 8,394
  2,059 1,378 -0,7365 17,52
  2,059 1,391 -0,8033 20,01

 

Высота потенциального барьера будет примерно равна 1,27

La, нм U1, В U2, В I1, мкА I2, мА
  2,088 1,486 0,3348 0,001971
  2,09 1,507 -0,2009 0,01915
  2,091 1,54 0,2009 0,08341
  2,092 1,564 0,4018 0,1871
  2,095 1,591 0,06695 0,3831
  2,099 1,621 0,2678 0,7403
  2,111 1,653 0,3348 1,448
  2,113 1,663   2,143
  2,113 1,694 0,06697 3,962
  2,113 1,718 -0,3347 6,131
  2,115 1,763 -0,4018 11,28
  2,115 1,846 -1,004 20,26

 

Высота потенциального барьера будет примерно равна 1,64

La, нм U1, В U2, В I1, мкА I2, мА
  2,136 1,628 0,1339  
  2,137 1,659 0,1339 0,02901
  2,139 1,684 0,2678 0,08105
  2,139 1,716 0,06696 0,1904
  2,142 1,747 0,06696 0,3869
  2,144 1,782 0,2009 0,7391
  2,157 1,816 0,3348 1,386
  2,159 1,843 0,1339 2,585
  2,159 1,877   4,576
  2,161 1,926 -0,2009 9,709
  2,161 1,994 -1,071 20,37

 

Высота потенциального барьера будет примерно равна 1,78

2 Исследование темновой и световой вольт-амперной характеристик фотоприемников

Схема № 2

Объект исследования ФР-117; Материал: CdSe

Темновой ток измеряли для 1 го фотоприемника

La, нм U1, В I1, мкА E, лк
  0,01371 0,1339 0,001464
  0,9883 11,98 0,001104
  2,975 33,48 0,0005857
  3,986 41,66 0,0001802
  4,999 51,28 -0,0001126
  4,998 50,96 -0,0002478
  6,983 68,59 -0,0008109
  7,991 76,65 -0,001081
  9,005 86,28 -0,001465
  10,95 228,7 -0,001667

 

Объект исследования СФ2-1; Материал: CdS

La, нм U1, В I1, мкА E, лк
  -0,05548 0,3347 -0,001599
  -0,01103 -6,937E-5 -0,002117
  1,016 -0,001318 -0,002478
  1,998 0,2678 -0,002793
  2,982 0,6697 -0,0032
  2,984 0,6026 -0,003244
  3,998 0,4687 -0,003514
  5,997 0,2009 -0,003852
  6,976 0,2678 -0,004056
  7,006 0,3348 -0,004168

 

 

Световые характеристики рассматриваем сначала для первого фотоприемника при 2 х значениях освещенности, а потом второго.

Объект исследования СФ2-1; Материал: CdS

La, нм U1, В I1, мкА E, лк
  -0,1571 -10,7 0,05998
  0,006016 0,3548 0,05985
  0,9898 65,88 0,05955
  0,9901 65,83 0,05958
  2,006 133,2 0,05907
  4,007 264,2 0,05862
  4,99 328,7 0,05821
  6,01 395,9 0,0579
  6,005 396,1 0,05776
  6,979 460,7 0,05759

 

Схема № 2

Объект исследования ФР-117; Материал: CdSe

La, нм U1, В I1, мкА E, лк
  -0,1614 -24,04 0,1834
  0,006015 0,963 0,1832
  0,9915 153,7 0,183
  1,975 305,4 0,1823
  2,99 463,2 0,182
  4,005 622,3 0,1817
  4,99 775,9 0,1814
  6,004 937,4 0,1811
  6,003   0,181
  7,991   0,1807

 

Объект исследования ФР-117; Материал: CdSe

La, нм U1, В I1, мкА E, лк
  -0,2038 -45,34 0,3142
  0,9853 221,9 0,3137
  2,003 451,3 0,3133
  2,985 673,5 0,3128
    905,7 0,3126
  4,982   0,3123
  4,982   0,3121
  5,994   0,3119
  7,988   0,3113
  9,013   0,311

 

Объект исследования СФ2-1; Материал: CdS

La, нм U1, В I1, мкА E, лк
  -0,238 0,4017 0,0778
  -0,2336 -0,00698 0,07792
  0,9877 0,05583 0,07766
  2,007 0,1187 0,07739
  2,007 0,1187 0,07738
  3,984 0,2023 0,0769
  4,013 0,2094 0,0768
  5,001 0,2653 0,07666
  5,988 0,3281 0,07643
  7,986 0,4398 0,07587

 

Темновой ток СФ2-1

Рассчитаем зависимости фототоков фотоприемников от приложенного напряжения и построим график семейства характеристик

Темновой ток ФР-117
ФР-117 для первого измерения
СФ2-1 для первого измерения
ФР-117 для второго измерения
СФ2-1 для второго измерения
Ток фототок ФР-117 при первом измерении

 

Ток фототок ФР-117 при втором измерении
Ток фототок СФ2-1 при первом измерении

 

Ток фототок СФ2-1 при втором измерении

 

 

 

 

3 Исследование световых характеристик фотоприемников

 

Схема № 2

Объект исследования ФР-117; Материал: CdSe

La, нм U1, В I1, мкА E, лк
  3,977 38,51 -0,001578
  3,979 182,9 0,04018
  3,977 189,3 0,04011
  3,98 476,5 0,1302
  3,98 476,8 0,1302
  3,982 630,7 0,19
  3,983 632,1 0,19
  3,984 748,7 0,2407
  3,985 892,2 0,3099
  3,986 972,2 0,3515

 

Объект исследования ФР-117; Материал: CdSe

La, нм U1, В I1, мкА E, лк
  3,989 3,081 0,349
  4,008 0,3348 0,04094
  4,009 0,2009 0,04099
  4,008 0,4017 0,07127
  4,012 0,4018 0,1219
  4,015 1,004 0,2003
  4,014 1,205 0,2213
  4,015 1,943 0,2605
  4,016 2,612 0,302
  4,019 3,147 0,3619

 

 

Рассчитаем концентрацию носителей заряда для фотоприемников:

 

 

4 Исследование спектральных характеристик фоторезисторов

Схема № 3

Объект исследования СФ2-1; Материал: CdS

La, нм U1, В I1, мкА E, лк
    5,491 -0,0008168
    22,44 -0,01968
    20,96 -0,0194
    20,7 -0,02272
    11,46 -0,0004869
    11,79 -0,003268
    8,372 -0,0003234
    7,634 -0,0008224
    14,13 -0,006716

 

Объект исследования ФР-117; Материал: CdSe

La, нм U1, В I1, мкА E, лк
      0,1579
    461,5 0,1529
    465,7 0,1531
    843,6 0,1503
    444,4 0,1505
    427,8 0,1503
    322,6 0,1497
    321,3 0,1509
    263,8 0,1502

 

Объект исследования ФР-117; Материал: CdSe

La, нм U1, В I1, мкА E, лк
    919,9 0,2762
    663,5 0,272
    903,8 0,2693
      0,2708
    750,7 0,275
    668,6 0,2712
    550,4 0,2719
    499,6 0,2699
    413,8 0,27

Объект исследования ФР-117; Материал: CdSe

La, нм U1, В I1, мкА E, лк
    0,268 -0,0002761
    0,201 -0,000279
    0,3348 -0,00649
    0,402 -0,007653
    0,4019 -0,0001724
    0,134 -0,001104
    0,134 -0,0001127
      -0,0002874
    0,067 -0,005748

 

Объект исследования СФ2-1; Материал: CdS

La, нм U1, В I1, мкА E, лк
    -0,06699 0,1644
    10,52 0,1582
    42,54 0,1603
    50,7 0,1591
    24,18 0,1593
    26,93 0,1591
    26,73 0,1632
    24,51 0,1595
    0,4019 0,1608

 

Объект исследования СФ2-1; Материал: CdS

La, нм U1, В I1, мкА E, лк
    13,73 0,3063
    18,55 0,2969
    76,09 0,299
    105,6 0,2988
    71,56 0,304
    66,64 0,3004
    50,83 0,3043
    59,42 0,2983
    0,8037 0,2994

 

Схема № 2

Объект исследования ФР-117; Материал: CdSe

La, нм U1, В I1, мкА E, лк
  2,004 5,83 -0,0004481
  2,005 5,426 -0,000448
  2,005 49,29 -0,01102
  2,006 53,26 -0,01255
  2,007 11,32 -0,0002772
  2,008 12,8 -0,001848
  2,008 8,371 -0,0001893
  2,009 7,3 -0,0004732
  2,01 28,6 -0,009578

 

Объект исследования СФ2-1; Материал: CdS

La, нм U1, В I1, мкА E, лк
  2,025 0,201 -0,000248
  2,026 0,3348 -4,506E-5
  2,028 0,335 -0,0006087
  2,029 0,6698 -0,0007888
  2,029 -0,067 -2,367E-5
  2,031   -0,0002028
  2,03 -0,067 -1,465E-5
  2,031   -4,508E-5
  2,031 0,06697 -0,001183

 




<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Глава 8. Принцесса и жизнь во дворце | Послесловие.

Дата добавления: 2015-10-12; просмотров: 921. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Шрифт зодчего Шрифт зодчего состоит из прописных (заглавных), строчных букв и цифр...

Картограммы и картодиаграммы Картограммы и картодиаграммы применяются для изображения географической характеристики изучаемых явлений...

Практические расчеты на срез и смятие При изучении темы обратите внимание на основные расчетные предпосылки и условности расчета...

Функция спроса населения на данный товар Функция спроса населения на данный товар: Qd=7-Р. Функция предложения: Qs= -5+2Р,где...

Этапы трансляции и их характеристика Трансляция (от лат. translatio — перевод) — процесс синтеза белка из аминокислот на матрице информационной (матричной) РНК (иРНК...

Условия, необходимые для появления жизни История жизни и история Земли неотделимы друг от друга, так как именно в процессах развития нашей планеты как космического тела закладывались определенные физические и химические условия, необходимые для появления и развития жизни...

Метод архитекторов Этот метод является наиболее часто используемым и может применяться в трех модификациях: способ с двумя точками схода, способ с одной точкой схода, способ вертикальной плоскости и опущенного плана...

Признаки классификации безопасности Можно выделить следующие признаки классификации безопасности. 1. По признаку масштабности принято различать следующие относительно самостоятельные геополитические уровни и виды безопасности. 1.1. Международная безопасность (глобальная и...

Прием и регистрация больных Пути госпитализации больных в стационар могут быть различны. В цен­тральное приемное отделение больные могут быть доставлены: 1) машиной скорой медицинской помощи в случае возникновения остро­го или обострения хронического заболевания...

ПУНКЦИЯ И КАТЕТЕРИЗАЦИЯ ПОДКЛЮЧИЧНОЙ ВЕНЫ   Пункцию и катетеризацию подключичной вены обычно производит хирург или анестезиолог, иногда — специально обученный терапевт...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.014 сек.) русская версия | украинская версия