Порядок выполнения работы. 1. Собрать схему, изображенную на рис

1. Собрать схему, изображенную на рис. 2.3, со следующими значениями напряжений и элементов: Е = 5 В, R ₁ = 6,8 кОм; R ₂ = 1,3 кОм; R ₃ = 6,8 кОм. R _н и С _н не подключены.

2. Снять передаточную характеристику, оформив при этом таблицу значений U _вх, U _вых. Зарисовать передаточную характеристику с указанием масштабов по осям.

3. Подключить нагрузочный резистор R _н = 6,8 кОм. Снять передаточную характеристику, оформив таблицу значений U _вх, U _вых. Зарисовать передаточную характеристику.

4. Подключить конденсатор С _н = 1…10 нФ без R _н, подать на вход импульсы амплитудой 5 В и частотой 50 кГц. Зарисовать осциллограммы напряжения U _вых.

5. Собрать схему, изображенную на рис. 2.4, со следующими значениями напряжений и элементов: Е = 5 В, R ₁ = 6,8 кОм; R ₂ = 1,3 кОм. R _н = 6,8 кОм и С _н = 1…10 нФ не подключены.

6. Снять передаточную характеристику, оформив при этом таблицу значений U _вх, U _вых.

7. Подключить нагрузочный резистор R _н = 10 кОм. Снять передаточную характеристику, оформив таблицу значений U _вх, U _вых. Зарисовать передаточную характеристику с указанием масштабов по осям.

8. Подключить конденсатор С _н = 1...10 нФ, подать на вход импульсы амплитудой 5 В и частотой 100 кГц. Зарисовать осциллограммы напряжения U _вых.

9. Собрать схему, изображенную на рис. 2.5, со следующими параметрами Е = 5 В, R ₁ = 6,8 кОм; R ₂ = 1,3 кОм; R ₃ = 1,3 кОм; R ₄ = 220 Ом. R _н = 6,8 кОм и С _н = 1 нФ – не подключены.

Проделать эксперименты по пп. 1 – 4.

10. Для схем рис. 2.3, 2.4, 2.5 определить величины напряжений U ¹_вых, U ⁰_вых, U _{вх min}, U _{вх max}. Рассчитать значения помехоустойчивости по логической единице, помехоустойчивости по логическому нулю.

 

Рис. 2.3 Рис. 2.4

Рис. 2.5

Оформить отчет.

Содержание отчета

Отчет должен содержать:

Ø численные значения передаточных характеристик, отраженных в табличном виде;

Ø осциллограммы напряжений;

Ø графики передаточных характеристик, полученных в ходе выполнения лабораторной работы;

Ø сравнительную оценку передаточных характеристик и значений помехоустойчивости, полученных экспериментально и теоретически.

Контрольные вопросы

1. Как работает логический элемент ДТЛ?

2. Как работает логический элемент ТТЛ?

3. Объяснить принцип формирования передаточной характеристики в ДТЛ и ТТЛ со сложным инвертором.

4. Перечислите основные статические и динамические параметры и характеристики логических элементов.

5. От чего зависит помехоустойчивость ДТЛ и ТТЛ со сложным инвертором, как ее определить?

6. Чем определяется нагрузочная способность логических элементов?

7. От чего зависит быстродействие работы логических элементов при работе на нагрузочную емкость и без нее?

8. Что показывает входная характеристика логического элемента?

9. Что показывает выходная характеристика логического эле­мента?

Список литературы

1. Агаханян Т. Н. Интегральные микросхемы. – М.: Энергоатомиздат, 1983.

2. Алексенко А. Г. Основы микросхемотехники. – 3-е изд., перераб. и доп. – М.: ЮНИМЕДИАСТАЙЛ, 2002.

3. Преснухин Л. Н., Воробьев Н. В., Шишкевич А. А. Расчет элементов цифровых устройств: Учеб. пособие. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Высшая школа, 1991.

4. Гольденберг Л. М. Импульсные устройства: Учебник для вузов. – М.: Радио и связь, 1981.

 

Лабораторная работа № 3

ИССЛЕДОВАНИЕ УСТРОЙСТВ ФОРМИРОВАНИЯ
ИМПУЛЬСОВ И ГЕНЕРАТОРОВ КОЛЕБАНИЙ
НА ИНТЕГРАЛЬНЫХ ЦИФРОВЫХ ЭЛЕМЕНТАХ

 

 

Цель работы. Изучение способов построения и исследования свойств формирователей и генераторов импульсов на интегральных цифровых элементах. Изучение возможностей формирователей с точки зрения получения необходимых длительностей импульсов, частоты следования генерируемых импульсов, а также зависимости их параметров от величин элементов схемы.