Исходные данные. 1. МУ «Расчет и конструирование одноэтажного складского сооружения» по

Расчет логического элемента

 

 

Факультет: РЭФ

Группа: РМ7-01с

Студент: Багочюс Е.К.

Преподаватель: Кожухов В.В.

 

Новосибирск 2013

ОГЛАВЛЕНИЕ.

1. Задание…………………………………………………………………….3

 

2. Краткое описание сложного инвертора…………………………………3

 

3. Исходные данные…………………………………………………………4

 

4. Расчет схемы………………………………………………………………4

 

4.1. Расчет сложного инвертора…………………………………….4

 

4.2. Расчет и выбор элементов питающей схемы………………….6

 

5.Построение выходной характеристики сложного инвертора…………..8

 

6.Список литературы………………………………………………………...9

 

 

Задание.

ВАРИАНТ №8

Рассчитать элементы схемы, обеспечивающие ее работу. DD1 является элементом 155 серии. Коэффициент разветвления принять равным 8. Принять значение β=45 для всех транзисторов в схеме. Построить выходную характеристику сложного инвертора.

 

Рис. 1.

Краткое описание сложного инвертора.

 

Если на вход МЭТ VT2 поданы высокие уровни напряжения (логическая единица), то переходы эмиттер-база транзистора смещены в обратном направлении и ток через переход коллектор-база втекает в базу транзистора VT3 и далее в базу транзистора VT5, что приводит к насыщению транзисторов VT3 и VT5. При этом МЭТ работает в инверсном активном режиме, т.к. все переходы эмиттер-база смещены в обратном направлении, а переход коллектор-база смещены в прямом направлении. Транзистор VT4 закрывается, т.к. напряжение между коллекторами транзисторов VT3 и VT5 оказывается ниже, чем суммарный порог отпирания транзистора VT4 и смещающего диода VD5. Основное назначение смещающего диода состоит в надежном запирании транзистора VT4 при насыщении транзисторов VT3 и VT5. В результате выходное напряжение Uкн(VT5) соответствует уровню логического нуля. Когда напряжение хотя бы на одном из выходов равно низкому уровню напряжения (логический ноль), то соответствующий переход эмиттер-база МЭТ смещается в прямом направлении и весь ток, протекающий через сопротивлении R3, поступает во входящую цепь схемы и МЭТ входит в насыщении, коллекторный ток МЭТ уменьшается. При этом напряжение на базе транзистора VT3 составляет сотые доли вольта. Поэтому транзисторы VT3 и VT5 закрыты.

 

Исходные данные.

Еп=5в

β=45

Краз=8

Для расчета используем микросхему К155ЛА3

Ее номинальные параметры:

Тип Элемента
К155ЛА3

Константы используемые в расчете схемы:

;

; ;

Тепловой потенциал: мВ