ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ (Выполняется в лаборатории)

2.5.1. Снятие стоко-затворных характеристик I_c(U_вх) p- и n-канальных МДП-транзисторов, входящих в микросхему К176ЛП1. Для выполнения этого пункта необходимо использовать файл «Стокозатворная_МДП.vi», находящийся в соответствующей папке с лабораторными работами.

1) Снятие характеристики n-канального транзистора. Для этого необходимо замкнуть ключи S6,S9. Пилообразное напряжение амплитудой 5 В подается в точку КТ6. Вход Y должен быть подключен к измерительному резистору R1 (КТ4 (-), КТ5(+)). Вход Х подключается в КТ3(+) и КТ1(-), ко входу ключа.

2) Снятие характеристики p-канального транзистора. Для этого нужно замкнуть ключи S5 и S8, а так же – поменять полярность входа Y.

 

2.5.2. Исследование статических передаточных характеристик U_вых(U_вх) и I_потр(U_вх) ключа К176ЛП1

1) Для снятия передаточной характеристики ключа необходимо использовать файл «Передаточная_МДП.vi».

2) Должны быть замкнуты ключи S8,S9 для соединения стоков. Пилообразное напряжение амплитудой 5В подается в точку КТ3. Вход Х, так же как при снятии стоко-затворных зависимостей, подключается в КТ3(+) и КТ1(-)

3) Для снятия характеристики I_потр(U_вх) пилообразное напряжение и вход X остаются подключенными ко входу схемы, а вход Y подключается параллельно резистору R1 (КТ4 (-) и КТ5 (+)). Должны быть замкнуты ключи S9,S7.

 

2.5.3.Исследование переходных процессов при различных емкостных нагрузках на выходе ключа

1) Для исследования переходных процессов необходимо подать на вход ключа сигнал генератора, находящегося на плате с помощью переключателя S4. Стоки транзисторов схемы ключа должны быть соединены (S8,S9 замкнуты).

2) С помощью осциллографа С1-112, используя режим внешней синхронизации сигналом генератора (КТ3), получить осциллограммы напряжения на входе (КТ3) и на выходе ключа (КТ4).

3) Последовательно увеличивая ёмкость нагрузки (замыкая ключи S1, S2, S3), получить осциллограммы напряжения на выходе ключа (КТ4). Измерить длительность заднего и переднего фронта импульса для каждой осциллограммы.

 

3. Требования к оформлению отчётов по лабораторным работам

Схемы должны быть выполнены в соответствии с требованиями ЕСКД с применением чертёжных принадлежностей или специального программного обеспечения.

Отчёт должен содержать:

-точное название, цель и краткое содержание лабораторной работы;

-перечень оборудования;

-принципиальную схему лабораторного макета;

-схемы экспериментов с указанием номиналов элементов и всех необходимых расчётов;

-графики характеристик с необходимыми построениями и расчётами;

-осциллограммы;

-краткие выводы по работе.

 

Список литературы

1) Караулов А.Н., Кабов С.Ф., Стряпкин Л.И. Универсальный лабораторный стенд по электронике: Методические указания к лабораторной работе. – М.: МИИТ, 2011. – 48 с.

2) Ткаченко Ф.А. Электронные приборы и устройства: учебник. – Минск: Новое знание; М.: ИНФРА-М, 2011 – 682 с.

3) О. В. Миловзоров, И. Г. Панков. Электроника: Учебник для вузов. – М.: Высшая школа, 2004 – 288 с.

4) Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника: Учеб. пособие для приборостроит. спец. вузов. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Высшая школа, 1991 – 622 с.

5) Г.А.Абасова, В.А.Шилин. Интегральный ключ на комплиментарных МДП-транзисторах: Методические указания к лабораторной работе. – М.: МИИТ, 1986. – 15 с

 

 

Содержание

 

1.Лабораторная работа № 4. Ключ на биполярном транзисторе. 1.1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ ……………………………………….. 1.2. СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ…………………………….. 1.3. КРАТКИЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ………… 1.4. ОПИСАНИЕ ЛАБОРАТОРНОГО МАКЕТА………... 1.5. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ (Выполняется в лаборатории) ………………………………………………… 2. Лабораторная работа № 5. Интегральный ключ на комплиментарных МДП-транзисторах…………………………....... 2.1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ………………………………………... 2.2. СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ…………………………….. 2.3. КРАТКИЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ………… 2.4. ОПИСАНИЕ ЛАБОРАТОРНОГО МАКЕТА……….. 2.5. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ (Выполняется в лаборатории)………………………………………………….. 3. Требования к оформлению отчётов по лабораторным работам………………………………………………………….. Список литературы………………………………………………... Содержание………………………………………………………...

 

 

 

Учебно-методическое издание

 

 

Караулов Александр Николаевич

Стряпкин Леонид Игоревич

 

Ключевые схемы на транзисторах

 

Методические указания к лабораторной работе

 

 

 

 

Подписано в печать Заказ № Изд.№

Усл.-печ.л. Тираж экз. Формат