На проведение патентных исследований

Форма задания на проведение патентных исследований

 

УТВЕРЖДАЮ     д-р техн. наук, проф. _____________________ И. О. Фамилия

должность, личная подпись и расшифровка подписи ответственного руководителя работы

10.01.2012 г.

 

ЗАДАНИЕ № 1

на проведение патентных исследований

 

Наименование работы (темы): «Мультисенсоры на основе пористых наноструктурированных материалов», государственный контракт № 07.514.12.4014 от «17» октября 2011 г., шифр работы (темы) 2011-1.4-514-126-026.

Этап работы № 2 (промежуточный) по теме «Теоретические исследования поставленных перед НИР задач», сроки его выполнения с 01.01.2012 по 01.07.2012.

Задачи патентных исследований:

1) исследование технического уровня, выявление тенденций развития и путей совершенствования способов изготовления высокочувствительных газовых сенсоров на основе SiO₂–SnO₂ , пористого кремния.

2) отбор наиболее значимых изобретений из числа запатентованных в ведущих странах мира, формулировка выводов и оформление форм к разделам основной части отчёта о патентных исследованиях. Форма отчета по анализу патентной документации (Приложение В) должна включать таблицу В.1 – Патентная документация. Другие виды работ, в том числе, статистическая обработка отобранных охранных документов, не предусмотрены настоящим заданием. Описание запатентованных изобретений в области методов и средств проектирования и разработки газовых сенсоров должны быть представлены в Приложении Г.

 

 

КАЛЕНДАРНЫЙ ПЛАН

 

Виды патентных исследований	Подразделения исполнители (соисполнители)	Ответственные исполнители (Ф.И.О.)	Сроки выполнения патентных исследований. Начало. Окончание.	Отчетные документы согласно ГОСТ 15.011-96 (в рамках Задания № 1, Приложение А)
Исследование технического уровня, выявление тенденций развития и путей совершенствования способов изготовления высокочувствительных газовых сенсоров на основе SiO2–SnO2, пористого кремния.	Кафедра «Нано и микроэлектроника»	Печерская Е.А. Соловьев В.А.	С 10.01.2012 по 29.02.2012	Отчет о патентных исследованиях
Отбор наиболее значимых изобретений из числа запатентованных в ведущих странах мира, выводы и оформление форм к разделам основной части отчёта о патентных исследованиях.	Кафедра «Нано и микроэлектроника	Печерская Е.А. Соловьев В.А.	С 01.03.2012 по 01.04.2012	Приложения Б, В (таблица B.1), Г

 

Руководитель

патентного

подразделения И. О. Фамилия

личная подпись расшифровка подписи дата

Руководитель

подразделения

исполнителя

работы И. О. Фамилия

личная подпись расшифровка подписи дата

ПРИЛОЖЕНИЕ Б

(обязательное)