Полупроводниковые фотоприемники оптического излученияФотоприемники – это оптоэлектронные приборы, предназначенные для преобразования энергии оптического излучения в электрическую энергию. Принцип действия полупроводниковых фотоприемников основан на внутреннем фотоэффекте в полупроводниках – т.е. процессе образования дополнительных носителей заряда (фотоносителей) внутри структуры под действием оптического излучения. В полупроводниковых фотоприемниках используются две формы внутреннего эффекта: фотогальванический и фотопроводимости. Фотогальванический эффект возникает в полупроводниках с внутренним потенциальным барьером (с p-n переходом, с гетеропереходом и т.д.). При этом внутреннее электрическое поле перехода разделяет фотоносители, образовавшиеся под действием оптического излучения Эффект фотопроводимости состоит только в создании фотоносителей. Результатом изменения концентрации носителей в полупроводнике является увеличение его проводимости. Оба эффекта используются в практике конструирования фотоприемников: фотогальванический эффект – в фотодиодах, фототранзисторах, в фоторезисторах и других фотоприемниках с p-n переходами, а эффект фотопроводимости – в фоторезисторах. Из этого разнообразия фотоприемников требованиям высокоскоростной оптоэлектроники наиболее полно отвечают фотодиоды.
|
