Организация памятиЯчейки флэш-памяти бывают как на одном, так и на двух транзисторах. В простейшем случае каждая ячейка хранит один бит информации и состоит из одного полевого транзистора со специальной электрически изолированной областью ("плавающим" затвором - floating gate) , способной хранить заряд многие годы. Наличие или отсутствие заряда кодирует один бит информации (рис.6.20). При записи заряд помещается на плавающий затвор одним из двух способов (зависит от типа ячейки): методом инжекции "горячих" электронов или методом
туннелирования электронов. Стирание содержимого ячейки (снятие заряда с "плавающего" затвора) производится методом тунеллирования. Как правило, наличие заряда на транзисторе понимается как логический "0", а его отсутствие - ак логическая "1". (рис.6.20) Современная флэш-память обычно изготавливается по 0,13- и 0,18-микронному техпроцессу.
|
