Измерение малых напряжений

1) ТермоЭДС, электрохимические потенциалы.

2) Электромагнитное излучение

Методы уменьшения действия погрешности:

Vb=B^{→ + S ;}

 

 

U S

 

B

 

1) Метод уменьшающей площади рамки проводки.

Коаксиальный кабель

При наличии литой пары ЭДС компенсируется.

Площадь значительно уменьшается.

 

 

2) Экраниорование

 

 

3) Влияние заземления

 

 

Большие погрешности

 

r

I

 

Метод борьбы: разорвать прибор в точке. Подключать землю либо к источнику сигнала, либо к измерительному прибору.

Фотоэлектрический измерительный преобразователь.

Датчики измеряют диапозон видимого света; Ик:

0,4…0,8 мкм – видимый;

0,8 …1,5 мкм – ближний ИК;

1,5 < - дальний ИК.

Применяется: диагностика IN VIVO (Фотоплетизмограф).

ФИП

 

Диагностика Invitro

Invivo - опять хз что

-фотоплетизмограф - Измерение концентрации

- тепловидение - Скор. Осед. Зрит.

- оксигекография - Спектр измер.

ФИП

 

Селентивные Не селективные

(чувствительные к длине волны) (тепло в t к объекту)

Болометр Термометр

Фоторезисторы Гальванические элементы

Фотодиоды

Фотоэлем Газоп. Вакуумные

Умножит фотоэлем фотоэлем

Фотогальванические Вентильные Внешний ФЭ

Элементы фотоэлементы

Внутренний ФЭ

Фотодиод: I ВАХ

P n

U

I

1) Фотогальван. (генерат. режим)

𝞮

 

φ

U U²_bx

U_bx=(sinω₁t+sinω₂t): U_bwx

U_bwx= sin²10t+2sinω₁t+sinω₂t

ω₁ ω₂ U_bx

Приводит к появлению комбинаций частот, поэтому для датчика важна линейность их характеристик.

Плюсы	Минусы
-высокая чувствительность	-Инерционность
	- Нелинейность
	-1…10 кгц

 

 

 

2) Вентильный фотоэлемент

tU_n I_ф,А Ф

 

U_n порог U_фв

Нежелательная область

 

I_фд Светов. Гар-ка –Зависимость выходного параметра от интенсивности падающего света.

U_{фд >} U_порог

 

 

Ф

 

Практическая схема включения

Imax≈3mA, Itemn≈1pA, Upor∼9v

Требования:

Uфд≥9в

Iд*R+Uфд=Uп

Uп-ImaxR≥Upor

 

 

U

R-нежелательная вещь.

 

fср f

R=1kOm

Uп≥9v+3mA*1k=12v

Достоинства:

ü Линейность световой характеристики

ü Малоинерционность

ü Высокое быстродействие за счет изменения толщины запирающего слоя

Тип ФИП	Uп v	SmkA/mm
Фоторезистор	4…220v	2*10^3…2*10^4
Фотодиод ФД256	>10v	6*10^3
ФЭХ19	>1100v	3*10^6