Импульсные плазменные лазеры.

Для ионизации активной среды в этих лазерах применяют быстро спадающие им­пульсы электрического разряда с характерными парамет­рами; напряжение до 20 кВ, сила тока до 300 А, длитель­ность импульса порядка 0,1—1 мкс. Импульс генерации развивается в послесвечении разряда.

В качестве активной среды используется смесь из легко ионизируемого лазерно активного компонента и трудно ионизируемого вспомогательного (буферного) компонента. Последнийнужен главным образом для обеспечения достаточно быстрого охлаждении свободных электронов в плаз­ме.

Под действием мощного импульса возбуждения созда­ется плазма с высокой концентрацией ионов различной кратности и свободных электронов. По окончании импуль­са возбуждения совершается процесс быстрого охлаждения свободных электронов за счет столкновений с атомами бу­ферного газа. Затем происходит интенсивная рекомбинация ионов и электронов, производящая накачку лазерных пере­ходов в активных центрах, в качестве которых выступают атомы или ионы (обычно однократные) легко ионизируе­мого компонента смеси. В создании инверсии существенную роль играет механизм электронного девозбуждения нижних рабочих уровней.

Импульсные плазменные лазеры созданы, в частности, на ионизированных парах щелочноземельных металлов Mg, Ca, Sr, Ba. В качестве примера отметим плазменный лазер на стронций-гелии, генерирующий на переходах в Sr II, т. е. на переходах между уровнями однократных ионов . Гелий играет роль буферного газа. Импульс воз­буждении создает плазму с высокой концентрацией двукрат­ных ионов стронция (ионов ). Процессы рекомбина­ции приводят к образованию возбужденных однократных ионов , играющих в данном случае роль активных цент­ров. Генерация реализуется на ряде переходов ионов ; основными являются линии 0,416 мкм и 0,431 мкм.