Визначення параметрів транзисторів по їх характеристиках.По сімействах вхідних (мал. ) і вихідних (мал. ) характеристик можуть бути визначени зміни в струмах вивидів транзистора під впливом напруг виводів і по величинах цих змін розраховати параметри транзисторів. Зміни напруг і струмів повинні бути невеликими, щоб в їх пределах характеристики транзистора представлялися відрізками прямих. Знаючи значення напруг і струмів, можна обчислити параметри транзистора:
Моделювання в програмі Micro-Cap Вихідні характеристики біполярного транзистора
1. Для побудови сімейства вихідних вольт-амперных характеристик, біполярного транзистора структури n-p-n, включеного по схемі із загальним емітером,необхідно скласти наступну схему вимірювання (мал.1).До його бази необхідно підключить джерело постійного струму IВ (компонент ISOURCE), до колектора — джерело постійної напруги VС (компонент BATTERY).
Мал.1
2. Перейти в режим розрахунку передаточних характеристик по постійному струму(здійснюється командою Analysis/DC або Alt+3). В діалоговому вікні DC Analysis Limits на рядках Variable 1, Variable 2вказуються імена варьируемых джерел, діапазони їх змін — на рядках Range. Для побудови вихідних характеристик по осі X відкладається напруга колектор-емітер транзистора Vce(Q1), по осі Y — струм колектора Ic(Q1)(мал.2).
Мал.2
|
