Структурная схема управления инициализацией и подсветкой

В блоке логики контроллер сканирования тактирует как про­цессор обработки данных, так и преобразователь данных, и фор­мирует сигналы сканирования, поступающие на входы Х-платы и Y-платы (см. рис. 4.3).

Функциональный состав Х-платы приведен на рис. 4.4. Им­пульсный характер сигнала X создают с помощью накопительно­го конденсатора, напряжение на обкладках которого использу­ют для формирования напряжений смещения, подсветки и упра­вления ключами.

Подобным Х-плате является функциональный состав Y-платы (рис. 4.5). Кроме импульсных сигналов подсветки, эта плата вы­рабатывает еще сигналы сброса и сканирования.

Форма и амплитуды сигналов сброса, адресации и подсвет­ки, поступающие на эпектроды X и Y nриведены на рис. 4.6.

Рис.4.6

Как уже отмечалось, при отображении информации работа плазменной панели во времени происходит циклами, в течение которых на электроды подаются импульсные сигналы опреде­ленной амплитуды и формы.

Особенность плазменной панели заключается в ее достаточ­но больших геометрических размерах, следствием чего является рост длины электродов всех типов и появление заметных распре­деленных паразитных емкостей между ними. В свою очередь, паразитные емкости за счет явлений зарядки/перезарядки ока­зывают влияние на форму и амплитуды электродных импульсов.

 

 

Если рассмотреть неболь­шой фрагмент передней стеклян­ной пластины панели с электро­дами X и Y на нем (рис. 4.7), то можно предположить возникно­вение паразитной межэлектрод­ной емкости с обкладками в виде боковых поверхностей электро­дов и их площади (за счет суще­ствования краевого эффекта си­ловых линий электрического по-

ля, проходящих между электродами через толщу стекла).

Управляющие сигналы сканирования и подсветки поступают на электроды через МОП-ключи, в результате чего образуется цепь, эквивалентная схема которой представлена на рис. 4.8.

Высокие амплитуды напряжений импульсов приводят при за­рядке/разрядке паразитной емкости C_s к протеканию через за­мкнутые ключи значительных токов. Учитывая наличие ненуле­вого внутреннего электрического сопротивления транзисторных ключей в замкнутом состоянии, токи коммутации вызывают ин­тенсивный нагрев транзисторов (рис. 4.9).

В настоящее время известны несколько способов снижения тепловой нагрузки ключей. Схема реализации одного из них представлена на рис. 4.10. В схему включены катушки индук­тивности Ц и /_₂, которые вместе с конденсаторами С* и Су образуют два последовательных колебательных контура. Пара­метры контуров подобраны таким образом, что совместно с за­щитными диодами, включенными между МОП ключами, позво­ляют осуществить регенерацию энергии разрядки/перезарядки паразитной емкости C_s.

 

 

 

На рис. 4.11 изображен положительный импульс подсветки амплитудой Vs и интервалы коммутации МОП-ключей. Первый интервал характеризуется ростом напряжения подсветки и со­ответствует зарядке паразитной емкости по маршруту, показан­ному на рис. 4.12. Благодаря резонансу в последовательном колебательном контуре ЦСуС ток плавно нарастает и спадает. В окрестности максимальной амплитуды напряжения подсветки выпрямительные диоды обрывают плавное нарастание напряже­ния, ток зарядки прекращается, и возникает всплеск.

В период действия напряжения подсветки (интервал 2) про­исходит дополнительная зарядка емкости С той же полярности (рис. 4.13).При снижении положительного напряжения под-

 

 

 

светки происходит резонансная разрядка паразитной емкости по маршруту, показанному на рис. 4.14. В течение интервала 4 МОП-ключи замыкают паразитную емкость накоротко (рис. 4.15), снимая ее остаточный заряд.

При действии импульса подсветки отрицательной полярно­сти направления токов зарядки и разрядки паразитной емкости изменяются на противоположные, и последовательность явлений повторяется, но с использованием резонансной цепи L₂CxC.