ПРИЛОЖЕНИЯ

по дисциплине «Правовое регулирование налоговых правоотношений»

ФИО студента (ки)	ФИО полностью
Группа
Институт

ТЕМА:

Актуальность темы работы	Тема привлекла мое внимание, поскольку …
Почему тема работы вызывает у Вас интерес?
Источники информации	Изучены труды следующих авторов:
Перечислить ФИО авторов статей, учебных пособий, монографий, которые Вы изучили в процессе написания работы.
Проблематика темы	Тема работы связана со следующими проблемами:
Кратко перечислить проблемы, которые, по Вашему мнению, характеризуют тему работы (связаны с темой). Вы излагаете только свое мнение и только своими словами! Минимальный объем − 4 пункта. 1. 2. 3. 4.
Позиция автора
Основная часть работы. Вы излагаете собственное мнение относительно значимости проблем, указанных ранее, и возможных способах их разрешения. Минимальный объем каждой части работы очерчен прямоугольником, а максимальный − неограничен!

Индивидуальное задание 2014

Открытый факультет

Исследование контактных явлений в структуре металл-полупроводник

Для заданной пары металл-полупроводник рассчитать и построить энергетическую диаграмму и вольтамперную характеристику контакта в данном диапазоне температур, дать рекомендации по применению исследуемого контакта. Все расчеты провести в системе СИ.

Все графики представить на "мм" бумаге или построенные на ПК.

Индивидуальная работа оформляется на писчей бумаге в формате А4 на одной стороне.

Рекомендуемый порядок выполнения:

1) Определить класс симметрии заданных материалов: металла и полупроводника, построить прямую и обратную элементарные ячейки заданных материалов. Для заданного металла определить размеры Зоны Бриллюэна в направлениях X, L, К.

2) Определить концентрацию электронов для заданного металла из условия касания Зоны Бриллюэна и сферы Ферми.

Определить степень вырождения электронного газа в металле в данном диапазоне температур. (Приложение MCAD №2)

3) Определить эффективную массу носителей заряда, их концентрацию и степень вырождения электронно-дырочного газа в полупроводнике в данном диапазоне температур. (Приложение MCAD №2)

4) Рассчитать и построить зависимости времени релаксации, средней длины свободного пробега и электропроводности от температуры для заданных материалов: металла и полупроводника. (Приложение MCAD №3, № 5)

5) Рассчитать и построить зависимость электропроводности от толщины металлической пленки при заданной температуре. (Приложение MCAD №4)

6) Рассчитать зависимости энергии Ферми и термодинамической работы выхода для собственного и примесного полупроводников от температуры.

7) Построить энергетическую диаграмму заданной пары металл-полупроводник в выбранном масштабе для случаев: без смещения, при прямом и обратном смещениях.

8) Рассчитать вольтамперную характеристику контакта в данном диапазоне температур. (Приложение MCAD №6)

9) Рассчитать концентрацию носителей заряда в заданном полупроводнике для создания омического контакта к металлу.

10) Сделать выводы и дать рекомендации по применению исследуемого контакта металл-полупроводник.

 

Шифр варианта XYZ

X	Y	Z
таблица 1	таблица 2	таблица 3

Например: для варианта (5 6 4) исходные данные берутся - вариант 5 из таблицы 1, вариант 6 из таблицы 2, вариант 4 из таблицы 3, таким образом для данного варианта (564) заданной парой металл-полупроводник является металл Cr и плупроводник n-InSb c концентрацией примесей 10¹⁶ см³

 

Список рекомендуемой литературы

 

1. Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела. ‑ М.: Мир, 1979.

2. Блатт Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах. ‑ М.: Мир, 1971.

3. Вендик О. Г., Вендик И. Б. Электроника твердого тела / ЛЭТИ. Л., 1975.

4. Вендик И. Б., Ситникова М. Ф. Физические основы микроэлектроники. – СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 1989.

5. Горбачев В. В., Спицина Л. Г. Физика полупроводников и металлов. ‑ М.: Металлургия, 1981.

5. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. ‑ М.: Наука, 1978.

7. Чопра К. Л. Электрические явления в тонких пленках. ‑ М.: Мир, 1972.

8. Шалимова К. В. Физика полупроводников. ‑ М.: Энергия, 1976.

9. Шаскольская М. П. Кристаллография. – М.: Высш. шк., 1976.

10. Замешаева Е.Ю., Ситникова М.Ф. « Физические свойства радиоматериалов», методические указания к практическим занятиям, СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2013.

11. Аничкова Н.С., Замешаева Е.Ю., Мунина И.В, Ситникова М.Ф. « Физические свойства радиокомпонентов», методические указания к лабораторным занятиям, СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2013.

12. Одит М.А., Ситникова М.Ф. «Компъютерное моделирование физических свойств материалов микроэлектроники», методические указания к лабораторным работам, СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2007.

 

ПРИЛОЖЕНИЯ

Некоторые свойства металлов (таблица 1)

 

№ ВАР.	Элемент	Структура	Атомная масса	Параметр решетки, Å	Плотность, г/см3	Удельное сопротивле­ние, мкОм·см	Температура, К	Работа выхода j, эВ
Дебая (T D)	Ферми (T F·10-4)	плавления(T пл)
	Al	ГЦК	26.98	4.05	2.7	2.74		13.49		3.74
	Fe	ОЦК	55.84	2.87	7.87	9.8		13.0		4.31
	Cu	ГЦК	63.54	3.61	8.93	1.7		8.12		4.47
	Nb	ОЦК	92.91	3.3	8.58	14.5		6.18		4.01
	Ag	ГЦК	107.87	4.09	10.50	1.61		6.36		4.28
	W	ОЦК	183.8	3.16	19.25					4.63
	Au	ГЦК	196.9	4.08	19.28	2.2		6.39		4.58
	Pb	ГЦК	207.2	4.95	11.31			10.87		4.52
	Sb	ромб	121.7	4.51	6.69	41.3		12.7	900.4	4,08
	Bi	ромб	208.9	4.75	9.8	11.6			544.5	4,4

 

 

 

 

 

 

Свойства cобственных полупроводников (таблица 2)

№ ВАР.	Тип примеси	Полупроводник	Ширина запрещенной зоны	Эффективная масса	Подвижность	Работа выхода, эВ
E G (0 К), эВ	E G (300 К), эВ	m" n / m e	m" p / m e	μn, см2·В‑1·с‑1	μp, см2·В‑1·с‑1
	n p	Si	1.166	1.11	0.98 0.19	0.5 0.16			4.83
	n p	Ge	0.74	0.67	1.58 0.082	0.3 0.04			4.80
	n p	GaAs	1.52	1.43	0.07	0.5 0.12			4.71
	n p	InAs	0.43	0.36	0.028	0.33			4.90
	n	InSb	0.235	0.17	0.0133	0.6 0.012		(78 К)	4.75
	n	InP	1.42	1.28	0.07	0.4			4.45

 

 

Концентрация n- и p- примесей в полупроводниках (таблица 3)

 

№ вар.		1, 2	3, 7	4, 8	5, 9	6, 10
концентрация примесей, см-3		1015	1016	1017	1018	1019

 

 

Варианты домашнего задания- 2014 г.

	номер группы
№ по списку
	1,1,10
	2,2,8
	3,10,7
	4,4,9
	5.6.5
	6.5.6
	7.9.1
	8.8.2
	9,7,4
	10,3,3