Проводимостей
Такой вариант схемного решения обычно используется при малых требуемых мощностях выходного сигнала (10–15 Вт). Это объясняется тем, что чем больше мощность выходного сигнала, тем больше и рассеваемая транзисторами мощность, т.е. тем выше температура. Увеличение температуры приводит к ухудшению стабильности параметров активных элементов. Таким
образом, основным недостатком таких схем является необходимость подбора двух активных элементов по своим характеристикам.
На практике параметры серийно выпускаемых транзисторов имеют разброс параметров более 100%. Поэтому в двухтактных схемах усилителей мощности класса В с активными элементами разного типа проводимости рекомендуется использовать комплиментарные пары транзисторов:
транзисторов с разным типом проводимостей, но с близкими характеристиками.
Принципиальная схема усилителя мощности класса В на транзисторах с разным типом проводимости представлена на рис. 12.9.
+ E п
R 1
R нагр R 0 C р
R 2 -E п
Рис.12.9 Принципиальная схема двухтактного усилителя мощности класса В на транзисторах
разного типа проводимости
Элементы R 0, R 1, R 2 – элементы задания рабочей точки транзисторов.
Сопротивление R 0 обеспечивает тепловую обратную связь, т.е. обеспечивает термостабилизацию рабочей точки. При конструктивной реализации сопротивление R 0 размещают на одном радиаторе с транзисторами. В качестве термосопротивления часто используют диоды в прямом включении. Для обеспечения симметрии в схеме число диодов должно быть четным.
Принципиальная схема двухтактного усилителя мощности класса В с диодной термокомпенсацией приведена на рис. 12.10.
E п
R1
C р
R2
Рис.12.10. Принципиальная схема двухтактного усилителя мощности с диодной
термокомпенсацией
Расчет элементов делителя осуществляется по методике расчета каскадов предварительного усиления. Ток делителя выбирается из условия:
Для защиты транзисторов от короткого замыкания на выходе необходимо предусмотреть средства защиты каскада от короткого замыкания по выходу.
|
C р
