Транзисторно-транзисторная логика Шоттки
Открытые транзисторы находятся в режиме насыщения и во время перехода в закрытое состояние добавляется время рассасывания неосновных носителей заряда в базе. Для того чтобы исключить время рассасывания необходимо не допускать режима насыщения (не открывать коллекторный переход). Этого можно достичь, включив между коллектором и базой транзистора диод Шоттки (рисунок 1.17а). ВАХ диода Шоттки и кремниевого pn-перехода приведены на рисунке 1.17б. При подаче на базу транзистора напряжения 0, 7 В (чтобы открыть транзистор), на диоде Шоттки будет падать 0, 2-0, 3 В и на коллекторе транзистора будет напряжение
0, 4-0, 5 В, что недостаточно для открывания коллекторного перехода. Транзистор с диодом Шоттки в ИМС конструктивно совмещены, обозна-чаются, как показано на рисунке 1.17в, и называются транзистором Шоттки. Схемы транзистор-танзисторной логики Шоттки (ТТЛШ) аналогичны схемам ТТЛ, только в них используются транзисторы Шоттки.
Рисунок 1.17
Ниже приведена таблица 1.9 с параметрами микросхем ТТЛШ. Серии 531 и 555 имеют схемотехническое решение, рассмотренное выше. Из их сравнения видим, что они отличаются по потребляемой мощности и быстро- действию, но энергия переключения примерно одинакова. Модернизирован- ные схемы 1530 и 1533 тоже имеют единое схемотехническое решение, но отличаются по потребляемой мощности и быстродействию, их энергия переключения примерно одинакова и значительно меньше, чем у предыдущих серий. У последней усовершенствованной серии 1531 энергия переключения еще снижена.
Таблица 1.9
Параметр
|
|
| Серия
|
|
|
|
|
|
|
|
| I0ВХ, мА £
| -2
| -0, 4
| -2, 4
| -0, 2
| -0, 6
| I1ВХ, мА £
| 0, 05
| 0, 02
| 0, 4
| 0, 02
| 0, 02
| U0, В £
| 0, 5
| 0, 4
| 0, 5
| 0, 4
| 0, 8
| U1, В ³
| 2, 7
| 2, 5
| 2, 0
| 2, 5
| 2, 0
| t10 ЗДР, нс
| 4, 5
|
| 2, 5
|
| 3, 8
| t01 ЗДР, нс
|
|
| 2, 5
|
| 3, 9
| PПОТР СР, мВт
| 32, 5
| 7, 5
|
|
|
| W, Дж × 10-10
| 1, 54
| 1, 5
| 0, 475
| 0, 4
| 0, 15
|
Таким образом, по мере совершенствования технологии и схемотех- нических решений микросхемы становятся более быстродействующими и экономичными.
Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...
|
Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...
|
Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...
|
Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...
|
|
Ваготомия. Дренирующие операции Ваготомия – денервация зон желудка, секретирующих соляную кислоту, путем пересечения блуждающих нервов или их ветвей...
Билиодигестивные анастомозы Показания для наложения билиодигестивных анастомозов:
1. нарушения проходимости терминального отдела холедоха при доброкачественной патологии (стенозы и стриктуры холедоха)
2. опухоли большого дуоденального сосочка...
Сосудистый шов (ручной Карреля, механический шов). Операции при ранениях крупных сосудов 1912 г., Каррель – впервые предложил методику сосудистого шва.
Сосудистый шов применяется для восстановления магистрального кровотока при лечении...
|
|
Тема: Составление цепи питания Цель: расширить знания о биотических факторах среды. Оборудование:гербарные растения...
В эволюции растений и животных. Цель: выявить ароморфозы и идиоадаптации у растений Цель: выявить ароморфозы и идиоадаптации у растений. Оборудование: гербарные растения, чучела хордовых (рыб, земноводных, птиц, пресмыкающихся, млекопитающих), коллекции насекомых, влажные препараты паразитических червей, мох, хвощ, папоротник...
Типовые примеры и методы их решения. Пример 2.5.1. На вклад начисляются сложные проценты: а) ежегодно; б) ежеквартально; в) ежемесячно Пример 2.5.1. На вклад начисляются сложные проценты: а) ежегодно; б) ежеквартально; в) ежемесячно. Какова должна быть годовая номинальная процентная ставка...
|
|