Схемы исследования. Схемы для снятия характеристик биполярного транзистора собирается на универсальной панели, на которой имеется разъем для подключения исследуемого транзистора

Схемы для снятия характеристик биполярного транзистора собирается на универсальной панели, на которой имеется разъем для подключения исследуемого транзистора, а также другие радиодетали, некоторые из них используются в данной работе. Схема собирается при помощи проводов со штекерами, которые вставляются в соответствующие гнезда.

Принципиальная схема для транзистора структуры p-n-p в схеме исследования ОБ приведена на рисунке 5.1. Так как на входе схемы желательно иметь источник тока, то к регулируемому источнику напряжения G₁ последовательно подключается резистор R. Для питания коллекторной цепи используется регулируемый источник напряжения G₂.

Рис. 5.1. Схема исследования БТ структуры p-n-p с общей базой

Приборы PV1 и PA1 используются для измерения входных напряжения и тока соответственно, а приборы PV2 и PA2 для выходных.

Для исследования транзистора структуры n-p-n следует поменять полярности источников питания.

Рис. 5.2. Схема исследования БТ структуры n-p-n c общим эмиттером

Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n при исследовании с ОЭ приведена на рисунке 5.2. Назначение приборов такое же как и в предыдущей схеме. При исследовании транзистора со структурой p-n-p следует поменять полярности источников питания.