Теоретичні відомості. Сукупна дія магнітного і електричного полів істотно ускладнює картину руху носіїв струму в провідних тілах порівняно з дією лише електричного поляСукупна дія магнітного і електричного полів істотно ускладнює картину руху носіїв струму в провідних тілах порівняно з дією лише електричного поля. Якщо в другому випадку має місце їх направлений рух – дрейф – зі швидкістю, пропорційною , то в першому випадку на дрейфовий рух накладається рух під дією сили Лоренца. У цьому випадку виникають гальваномагнітні явища, найважливішими з яких є ефект Холла. Явище ефекту Холла полягає в тому, що в провіднику зі струмом, розміщеному в зовнішньому магнітному полі, виникає електричне поле, напруженість якого перпендикулярна площині, в якій лежать вектори густини струму і індукції магнітного поля. Зупинимось дещо детальніше на механізмі явища ефекту Холла. На рис. 8.2.1 схематично зображений однорідний ізотропний зразок, через який вздовж осі Х протікає струм І. У додатному напрямку осі Z діє магнітне поле індукції . При відсутності магнітного поля вектор напруженості електричного поля направлений вздовж осі X. У цьому випадку різниця потенціалів між точками А і В рівна 0, оскільки точки А і В лежать на одній еквіпотенціальній поверхні. Під дією магнітного поля у напрямку, перпендикулярному до та , вздовж осі У виникає електричне поле, напруженість якого позначимо через Еу. Напруженість результуючого поля визначається вектором . Оскільки еквіпотенціальні поверхні перпендикулярні до силових ліній, тобто до , то еквіпотенціальна поверхня, яка проходить через точку О, повернеться на кут φ, що називається кутом Холла. Точки А і В у даному випадку не лежатимуть на одній еквіпотенціальній поверхні, тому між цими точками виникне різниця потенціалів Uх, яку називають холлівською. Рис. 8.2.1 Рис. 8.2.2 Розглянемо зразок напівпровідника у вигляді пластинки, розміри якої подано на рис. 8.2.2. Нехай відомо, що провідність напівпровідника монополярна, для прикладу — діркова. При вибраному напрямку струму вздовж додатного напрямку осі Х швидкість дірок при відсутності магнітного поля збігається з цим напрямком. При наявності магнітного поля на дірку діятиме сила Лоренца, в результаті чого дана дірка, а також всі інші дірки, змістяться в сторону верхньої грані напівпровідника. Оскільки напівпрвідник у будь-якому випадку буде електронейтральним, то з протилежної сторони розмістяться від'ємні заряди. У результаті перерозподілу електричних зарядів виникне поперечна різниця потенціалів Ux і поле . Перерозподіл електричних зарядів у напівпровіднику буде здійснюватись до тих пір, доки електрична сила не стане рівною силі Лоренца Fл: Fл= Fе. (1) Якщо , a Fе=qE, то після підстановки цих значень у рівність (1) знаходимо напруженість холлівського поля: . (2) При достатньо великій довжині пластинки крайовими ефектами можна знехтувати, тому, вважаючи що це поле однорідне, холлівська різниця потенціалів запишеться: Ux = Еb (3) або Uх = bB. (4) В одержану рівність (4) входить середнє значення дрейфової швидкості носіїв заряду, яку можна визначити з електронної теорії дослідним шляхом: . (5) Звідки , (6) де . (7) Підстановкою (7) в (5) одержуємо: . (8) Звідки . (9) Виключивши із співвідношень (4) і (9) швидкість v, одержуємо кінцевий результат: . (10) У співвідношенні (10) вираз . (11) називають сталою Холла. Стосовно викладеної вище найпростішої теорії ефекту Холла; слід зробити деякі суттєві зауваження: У більш строгій теорії співвідношення (11) слід помножити на число g, яке звуть холлівським фактором і яке залежить від особливостей розсіювання дірок і електронів на теплових коливаннях кристалічної ґратки . У випадку розсіювання на заряджених домішках: . При великих концентраціях носіїв заряду g=1. У багатьох випадках, де немає необхідності мати справу з високоточними розрахунками, як і в цій роботі, можна прийняти g=1. Для напівпровідників із змішаною, тобто електронною і дірковою провідністю, під дією сили Лоренца відхиляються як електрони, так і дірки. Кількісне описування цього явища суттєво ускладнюється. Постійна Холла в цьому випадку залежить від концентрації і рухливості носіїв обох знаків, причому вклади електронів і дірок в сукупний ефект — різного знаку.
|