СЭ П2 n2

n3 П 4 П 3 p2 I_у=0 U

СЭ R_н

E_н

 

Полупроводниковая структура симистора представляет собой пластину, в которой в процессе изготовления прибора создаются чередующиеся слои основных электродов. Полупроводниковая структура содержит 5 слоёв p- и n- типов. Исходный материал– слой n2, остальные слои получаются в процессе изготовления прибора.

Верхний слой n-типа состоит из двух участков: n1 под СЭУ и слой n0 под УЭ. Часть слоя p1 находится между слоями n1 и n2, а часть – выходит под контакт СЭУ. Слой n3 выходит под контакт СЭ. Слой p2 частично находится между слоями n2 и n3, а частично выходит под контакт СЭ.

Полупроводниковая структура имеет 5 p-n-переходов.

Переходы П0, П1, П4 не обладают хорошими блокирующими характеристиками, а П2 и П3 обладают хорошими характеристиками.

Приложим к СЭУ отрицательное напряжение относительно СЭ. В этом случае на правой половине структуры переходы П1 и П3 будут смещаться в прямом направлении, а переходы П2 и П4 – в обратном.

Левая часть структуры представляет для тока очень большое сопротивление, т.к. там 2 p-n-перехода смещаются в обратном направлении.

Правая часть структуры может быть открытой и проводить ток, т.к. 2 перехода смещаются в прямом направлении, а 1 переход – в обратном.

Если теперь приложить положительное напряжение относительно СЭУ на управляющий электрод, то p-n-переход П1 включится в прямом направлении и переведёт правую часть в проводящее состояние.

Принцип действия, статические и динамические характеристики правой половины будут соответствовать аналогичным характеристикам тринистора.

Приложим к СЭУ «+», к СЭ – «-». Тогда переходы П2 и П4 включатся в прямом направлении, а П1 и П3 – в обратном. В этом случае правую часть структуры можно рассматривать как структуру, которая не может быть включена. Работу прибора будет определять левая часть структуры, в которой 2 перехода П2 и П4 включаются в прямом направлении, а П3 – в обратном.

Полярность на УЭ может быть такая же, как и в предыдущем случае («+» - УЭ, «-» - СЭУ): П1 смещается в прямом направлении. Однако более эффективно включение будет происходить, если подавать на УЭ «-» относительно СЭУ: в прямом направлении смещается переход П0, которое будет определять время включения симистора.

Фотоэлектронные приборы

 

Это приборы, у которых проводимость изменяется при изменении светового потока, падающего на прибор. Все ФЭП можно разделить на 3 группы: фотоприёмные, фотоизлучающие, оптоэлектронные приборы.