7.1. Фінансування клініки здійснюється за рахунок коштів Університету, Інституту, випускової кафедри МП, грантів міжнародних та українських організацій, благодійних внесків громадян і організацій та інших джерел, не заборонених чинним законодавством України.
ПЕНЗЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
кафедра микроэлектроники
Отчет
По лабораторной работе
Исследование фотопроводимости полупроводников
Выполнил студент гр. 09-ЕН1
Юрина С.Ю.
Винокурова А.Г.
Брагина Л.М.
Проверил преподаватель
Печерская Е.А.
Аношкин Ю.В.
Цель работы: изучение электрических и оптических явлений в полупроводниках, основных характеристик и параметров оптоэлектронных приборов.
Практическая часть
1. Исследование вольт-амперных характеристик светоизлучательных диодов
Схема № 1
Объект исследования ФД; Материал:
La, нм
U1, В
U2, В
I1, мкА
I2, мА
2,024
1,108
0,3348
0,001577
2,026
1,145
0,4017
0,03069
2,027
1,179
0,4017
0,1001
2,03
1,199
0,1869
2,034
1,24
0,5382
2,037
1,259
0,06694
0,8606
2,054
1,281
1,744
2,056
1,3
0,06696
2,914
2,055
1,321
-0,06695
5,4
2,058
1,335
-0,3349
8,394
2,059
1,378
-0,7365
17,52
2,059
1,391
-0,8033
20,01
Высота потенциального барьера будет примерно равна 1,27
La, нм
U1, В
U2, В
I1, мкА
I2, мА
2,088
1,486
0,3348
0,001971
2,09
1,507
-0,2009
0,01915
2,091
1,54
0,2009
0,08341
2,092
1,564
0,4018
0,1871
2,095
1,591
0,06695
0,3831
2,099
1,621
0,2678
0,7403
2,111
1,653
0,3348
1,448
2,113
1,663
2,143
2,113
1,694
0,06697
3,962
2,113
1,718
-0,3347
6,131
2,115
1,763
-0,4018
11,28
2,115
1,846
-1,004
20,26
Высота потенциального барьера будет примерно равна 1,64
La, нм
U1, В
U2, В
I1, мкА
I2, мА
2,136
1,628
0,1339
2,137
1,659
0,1339
0,02901
2,139
1,684
0,2678
0,08105
2,139
1,716
0,06696
0,1904
2,142
1,747
0,06696
0,3869
2,144
1,782
0,2009
0,7391
2,157
1,816
0,3348
1,386
2,159
1,843
0,1339
2,585
2,159
1,877
4,576
2,161
1,926
-0,2009
9,709
2,161
1,994
-1,071
20,37
Высота потенциального барьера будет примерно равна 1,78
2 Исследование темновой и световой вольт-амперной характеристик фотоприемников
Схема № 2
Объект исследования ФР-117; Материал: CdSe
Темновой ток измеряли для 1 го фотоприемника
La, нм
U1, В
I1, мкА
E, лк
0,01371
0,1339
0,001464
0,9883
11,98
0,001104
2,975
33,48
0,0005857
3,986
41,66
0,0001802
4,999
51,28
-0,0001126
4,998
50,96
-0,0002478
6,983
68,59
-0,0008109
7,991
76,65
-0,001081
9,005
86,28
-0,001465
10,95
228,7
-0,001667
Объект исследования СФ2-1; Материал: CdS
La, нм
U1, В
I1, мкА
E, лк
-0,05548
0,3347
-0,001599
-0,01103
-6,937E-5
-0,002117
1,016
-0,001318
-0,002478
1,998
0,2678
-0,002793
2,982
0,6697
-0,0032
2,984
0,6026
-0,003244
3,998
0,4687
-0,003514
5,997
0,2009
-0,003852
6,976
0,2678
-0,004056
7,006
0,3348
-0,004168
Световые характеристики рассматриваем сначала для первого фотоприемника при 2 х значениях освещенности, а потом второго.
Объект исследования СФ2-1; Материал: CdS
La, нм
U1, В
I1, мкА
E, лк
-0,1571
-10,7
0,05998
0,006016
0,3548
0,05985
0,9898
65,88
0,05955
0,9901
65,83
0,05958
2,006
133,2
0,05907
4,007
264,2
0,05862
4,99
328,7
0,05821
6,01
395,9
0,0579
6,005
396,1
0,05776
6,979
460,7
0,05759
Схема № 2
Объект исследования ФР-117; Материал: CdSe
La, нм
U1, В
I1, мкА
E, лк
-0,1614
-24,04
0,1834
0,006015
0,963
0,1832
0,9915
153,7
0,183
1,975
305,4
0,1823
2,99
463,2
0,182
4,005
622,3
0,1817
4,99
775,9
0,1814
6,004
937,4
0,1811
6,003
0,181
7,991
0,1807
Объект исследования ФР-117; Материал: CdSe
La, нм
U1, В
I1, мкА
E, лк
-0,2038
-45,34
0,3142
0,9853
221,9
0,3137
2,003
451,3
0,3133
2,985
673,5
0,3128
905,7
0,3126
4,982
0,3123
4,982
0,3121
5,994
0,3119
7,988
0,3113
9,013
0,311
Объект исследования СФ2-1; Материал: CdS
La, нм
U1, В
I1, мкА
E, лк
-0,238
0,4017
0,0778
-0,2336
-0,00698
0,07792
0,9877
0,05583
0,07766
2,007
0,1187
0,07739
2,007
0,1187
0,07738
3,984
0,2023
0,0769
4,013
0,2094
0,0768
5,001
0,2653
0,07666
5,988
0,3281
0,07643
7,986
0,4398
0,07587
Темновой ток СФ2-1
Рассчитаем зависимости фототоков фотоприемников от приложенного напряжения и построим график семейства характеристик
Темновой ток ФР-117
ФР-117 для первого измерения
СФ2-1 для первого измерения
ФР-117 для второго измерения
СФ2-1 для второго измерения
Ток фототок ФР-117 при первом измерении
Ток фототок ФР-117 при втором измерении
Ток фототок СФ2-1 при первом измерении
Ток фототок СФ2-1 при втором измерении
3 Исследование световых характеристик фотоприемников
Схема № 2
Объект исследования ФР-117; Материал: CdSe
La, нм
U1, В
I1, мкА
E, лк
3,977
38,51
-0,001578
3,979
182,9
0,04018
3,977
189,3
0,04011
3,98
476,5
0,1302
3,98
476,8
0,1302
3,982
630,7
0,19
3,983
632,1
0,19
3,984
748,7
0,2407
3,985
892,2
0,3099
3,986
972,2
0,3515
Объект исследования ФР-117; Материал: CdSe
La, нм
U1, В
I1, мкА
E, лк
3,989
3,081
0,349
4,008
0,3348
0,04094
4,009
0,2009
0,04099
4,008
0,4017
0,07127
4,012
0,4018
0,1219
4,015
1,004
0,2003
4,014
1,205
0,2213
4,015
1,943
0,2605
4,016
2,612
0,302
4,019
3,147
0,3619
Рассчитаем концентрацию носителей заряда для фотоприемников:
4 Исследование спектральных характеристик фоторезисторов
