Студопедия — Выпрямительные диоды
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Выпрямительные диоды






Выпрямительный диод предназначен для преобразования переменного тока в постоянный. Используется свойство односторонней проводимости р-n -перехода. Электрод с большей концентрацией основных носителей называется эмиттером (Э), электрод с меньшей концентрацией основных носителей – базой (Б).

В большинстве случаев дискретные выпрямительные диоды являются плоскостными, причем р-n -переход германиевых диодов создают исключительно методом сплавления, а для изготовления кремниевых диодов используют сплавной и диффузионный методы. Для получения больших значений выпрямленных токов в выпрямительных диодах используют электронно-дырочные переходы с большой площадью, поскольку для нормальной работы диода плотность тока через переход не должна превышать 1…2 А/мм2.

Кремниевые диоды сохраняют работоспособность при более высоких температурах до 125…150 °С, а германиевые теряют свои свойства при температурах, превышающих 85°С. Кремниевые диоды из-за низкой собственной электропроводности выдерживают максимально допустимое обратное напряжение до 1500 В, тогда как германиевые диоды – лишь 400…500 В. Однако у кремниевых диодов больше падение напряжения (до 2 В) при прямом смещении, чем в германиевых (менее 1 В).

Основной характеристикой выпрямительного диода является его вольт-амперная характеристика. На рисунке 4.1 приведены ВАХ р-n -перехода (1) или теоретическая и диода (2) или реальная.

Отличия реальной ВАХ от теоретической:

а) в области малых прямых токов характеристики совпадают, в области больших прямых токов становится значительным падение напряжения на сопротивлении полупроводников и электродов. Характеристика идет ниже и почти линейно;

б) при повышении обратного напряжения ток медленно растет в результате:

1) термической генерации носителей в переходе. С увеличением ширины перехода увеличивается его объем и увеличивается число генерируемых носителей, т.е. увеличивается тепловой ток. Обратное допустимое напряжение до 400 вольт, допустимая температура до (60-70)°С;

2) поверхностной проводимости р-n перехода за счет ионных и молекулярных пленок на поверхности перехода.

Различие ВАХ в зависимости от материала изготовления ‑ германия (Ge) и кремния (Si) ‑ показаны на рисунке 4.2. Видно, что при одном и том же значении напряжения ток через германиевый диод выше, чем через кремниевый. Это объясняется меньшей шириной запрещенной зоны в германии, чем в кремнии.

Влияние температуры на ВАХ германиевого диода показано на рисунке 4.3. Так как повышается концентрация неосновных носителей при повышении температуры, то повышается обратный ток Iобр.

Основными параметрами выпрямительных полупроводниковых диодов являются:

‑ постоянное прямое напряжение Uпр при заданном прямом токе Iпр;

‑ максимально допустимое обратное напряжение Uобр max, при котором диод еще может нормально работать длительное время;

‑ постоянный обратный ток Iобр, протекающий через диод при обратном напряжении Uобр max;

‑ средний выпрямленный ток Iвпср, который может длительно проходить через диод при допустимой температуре нагрева;

‑ максимально допустимая мощность Pmax, рассеиваемая диодом, при котором обеспечивается заданная надежность диода.

По максимально допустимому значению среднего выпрямленного тока Iвпср диоды делятся на маломощные (менее 0,3 А), средней мощности (0,3…10 А) и большой мощности (более 10 А). Выпрямительные диоды большой мощности называются силовыми.

 

Соединение диодов.

Иногда используется параллельное или последовательное соединение диодов:

а) если Uобр.>Uобр. доп ., то используется последовательное соединение (рисунок 4.4,а). Для выравнивания обратных сопротивлений диодов необходимо их шунтировать резисторами Rш, чтобы равномерно разделить обратные напряжения на вентилях. Rш=(0,1¸0,2)Rобр. Промышленностью выпускаются так называемые диодные столбы, в которых соединены последовательно от 5 до 50 диодов. Обратное напряжение Uобр таких столбов лежит в пределах 2…40 кВ;

б) если Iпр.>Iпрдоп ., то применяется параллельное соединение диодов (рисунок 4.4,б). При этом для выравнивания прямых сопротивлений диодов последовательно с ними включаются резисторы с малым сопротивлением Rдоб = (5¸10)Rд. прям .

Группы идентичных маломощных диодов часто выпускают в виде диодных матриц и диодных сборок. В диодных матрицах диоды присоединены к одному общему выводу, что облегчает их использование в логических устройствах и дешифраторах, в диодных сборках применяются параллельное, последовательное, мостовое и другие соединения.

Выпрямительные полупроводниковые диоды являются низкочастотными и способны работать на частотах 50…105 Гц (силовые диоды – на частотах 50 Гц).

 







Дата добавления: 2015-10-12; просмотров: 1638. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Вычисление основной дактилоскопической формулы Вычислением основной дактоформулы обычно занимается следователь. Для этого все десять пальцев разбиваются на пять пар...

Расчетные и графические задания Равновесный объем - это объем, определяемый равенством спроса и предложения...

Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...

Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...

Правила наложения мягкой бинтовой повязки 1. Во время наложения повязки больному (раненому) следует придать удобное положение: он должен удобно сидеть или лежать...

ТЕХНИКА ПОСЕВА, МЕТОДЫ ВЫДЕЛЕНИЯ ЧИСТЫХ КУЛЬТУР И КУЛЬТУРАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА МИКРООРГАНИЗМОВ. ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОЛИЧЕСТВА БАКТЕРИЙ Цель занятия. Освоить технику посева микроорганизмов на плотные и жидкие питательные среды и методы выделения чис­тых бактериальных культур. Ознакомить студентов с основными культуральными характеристиками микроорганизмов и методами определения...

САНИТАРНО-МИКРОБИОЛОГИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВОДЫ, ВОЗДУХА И ПОЧВЫ Цель занятия.Ознакомить студентов с основными методами и показателями...

Плейотропное действие генов. Примеры. Плейотропное действие генов - это зависимость нескольких признаков от одного гена, то есть множественное действие одного гена...

Методика обучения письму и письменной речи на иностранном языке в средней школе. Различают письмо и письменную речь. Письмо – объект овладения графической и орфографической системами иностранного языка для фиксации языкового и речевого материала...

Классификация холодных блюд и закусок. Урок №2 Тема: Холодные блюда и закуски. Значение холодных блюд и закусок. Классификация холодных блюд и закусок. Кулинарная обработка продуктов...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.009 сек.) русская версия | украинская версия