Резистивные элементы полупроводниковых ИМС. Пленочные и диффузионные резисторы.Разновидности резисторов: 1) Диффузионные резисторы. Получают на основе транзисторной структуры. Резистивный эффект наблюдается в диффузионном слое полупроводника того или иного типа проводимости, ограниченно обратно смещённым p-n-переходом. Номинал сопротивления определяется концентрацией примесей, характером ей распределения и геометрическими размерами слоя. В п\п ИС для упрощения используют базовые слои биполярного транзистора. Для снижения площади, занимаемой резистором, ширину слоя выбирают минимальной. Для создания структур с большими номиналами сопротивления форму резистора выполняют в форме меандра. С помощью операции ионного легирования, не связанной с формированием базы, можно создать очень тонкий (0,1...0,2 мкм) резистивный слой с сопротивлением до 20 кОм/□. Для получения контактов на его концах формируют более толстые области p+-типа. Сопротивление слоя определяется дозой легирования. Технологический разброс сопротивлений ионно-легированных резисторов около 6%, ТКС = 0,1 %/К.
При необходимости создания резисторов с большим номиналом создают пинч-резисторы.
2)Тонкопленочные резисторы. Получили широкое распространение в гибридных ИС. В зависимости от требуемого номинала сопротивления могут иметь конфигурацию полосок, параллельных полосок с металлическими контактами, меандра. Изготавливают из плёнок нихрома, тантала, керметов. В кремниевых ИС изготавливаются поверх транзисторов. Материал – поликремний (в качестве недостатка – нелинейная ВАХ, тк м. отдельными зёрнами поликремния образуется потенциальный барьер)
|
