ЗАДАНИЕ ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ

 

1.Для заданного химического элемента (табл. П.1.2) определить скорость ис­парения V_и для заданных значений Р и Т_и.

2. Исследование распределений толщины пленки, создаваемых точечным и с малой поверхностью испарителями:

2.1. Построить график распределения плёнки по толщине d/d₀ для различных значений l/h по форму­лам (2.8), (2.9).

2.2. Найти расстояние испаритель - подложка h, которое обеспе­чивает не­равномерность распределения толщины пленки , размеры подложки 30 х 48 мм.

3. Исследовать влияние расстояния испаритель-подложка h на распределение толщины пленки, создаваемого тонким кольцевым испарителем при следующих условиях: радиус кольца испарителя s = 50 мм; диапазон изменения h/s [0.5; 1.6]; диапазон изменения l\h [0; 4].

4. Исследовать влияние расстояния испаритель-подложка h на распределение толщины пленки, создаваемого дисковым испарителем при следующих условиях: радиус диска испарителя s = 50 мм; диапазон изменения h/s [0.5; 1.6]; диапазон изменения l\h [0; 4].

5. Для точечного, малой поверхностью, тонкого кольцевого и дискового испарителей найти массу навески М_е и время напыления t для получения толщины пленки d = 1 мкм в центре подложки размерами 30 х 48 мм. Массу навески (количество испаренного материала) М_е определить по формулам (2.6), (2.7), (2.13), (2.16), а время t из выражения , где A = 1 см². Расстояние испаритель – подложка составляет 100 мм.

 

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

 

1. Особенности испарения материалов в вакууме. Температура испарения.

2. От каких параметров зависит скорость испарения при терми­ческом напы­лении в вакууме?

3. Назовите основные положения законов Ламберта - Кнудсена.

4. Напишите выражение для распределения пленки по толщине для испари­телей с малой поверхностью и точечных испарителей.

5. Каким образом добиться уменьшения неравномерности распре­деления пленки по толщине?

6. Преимущества испарителей с большой поверхностью.

7. С помощью рис.2.5 поясните порядок проведения процесса термовакуумного напыления.

8. Параметры, определяющие конденсацию пара на подложке.

9. Этапы роста пленки на подложке при термовакуумном напылении.

10. Параметры процесса термовакуумного напыления, определяющие свойства пленок.

11. Конструкции испарителей и требования, предъявляемые к материалам испарителей.

12. Нарисовать схему определения толщины пленки резистивным датчиком.

13. Объяснить принцип измерения характеристик диэлектрических пленок емкостным методом.

14. Рассказать особенности определения толщины пленок радиочастотным методом.

15. Ионизационный метод измерения скорости осаждения пленок.

16. Фотометрический и гравиметрический методы измерения толщин пленок.

 

___________________

 

1. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. М.: Выс­шая школа, 1987.

2. Технология тонких пленок. Справочник/ Под ред. Л.Майселла и Р.Гленга. В 2 т. М.: Сов. радио, 1977.