III. Физические процессы в биполярных транзисторахA. Полупроводниковая электроника I. Электрофизические свойства полупроводников 1. Энергетическая диаграмма собственного полупроводника с распределением подвижных носителей заряда по энергиям. 2. Определение уровня Ферми, понятие вырожденного полупроводника. 3. Энергетические диаграммы примесных полупроводников n- и p- типов. 4. Составляющие тока в полупроводниках. II. Физические процессы в p-n – переходах 5. Контактная разность потенциалов в p-n – переходе. 6. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода. Влияние сопротивления базы. 7. Виды пробоя p-n – перехода. 8. Ёмкости p-n – перехода при его прямом и обратном смещении. 9. Вольт-амперная характеристика p-n – перехода при туннельном эффекте. 10. Примеры полупроводниковых диодов (выпрямительные, импульсные, стабилитроны). 11. Структура лавинно-пролетного диода. 12. Определение частот колебаний в различных режимах работы генератора Ганна. III. Физические процессы в биполярных транзисторах 13. Структура и распределение примесей в биполярном транзисторе. 14. Распределение токов в биполярном транзисторе. 15. Схемы включения биполярных транзисторов. 16. Режимы работы биполярного транзистора. 17. Модель Эберса-Молла биполярного транзистора. 18. Основные физические параметры биполярных транзисторов. 19. Транзистор как линейный четырехполюсник. 20. Статические характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой (общим эмиттером). 21. Структура интегрального биполярного транзистора с изолирующим p-n - переходом. 22. Эквивалентная схема интегрального биполярного транзистора. 23. Варианты диодного включения биполярных транзисторов. 24. Быстродействие биполярных транзисторов (дискретных и интегральных).
|
