Теоретичні данні.

Якщо ми використовуємо масив b у якості параметра функції, то наступні конструкції ідентичні: float b[]; і float *b;

Приклад:

Розглянемо функцію, що зводить у квадрат значення елементів одномірного масиву.

#include

#include

void quart(int x[], int n);

void main()

{

int z[]={1,2,3,4};

int j;

quart (z, 4);

for (j=0;j < 4; j++)

printf("\n %d",z[j]);

getch();

}

void quart(int x[],int n)

{

int i;

for (i=0; i < n; i++)

x[i]*=x[i];

}

Заголовок функції може бути наступним: void quart(int *x, int n);

А звертання до елементів масиву усередині функції: *(x+i).

Двовимірний масив розмірності можна представити як одномірний масив одномірних масивів. Вираз a[i][j] переводиться компілятором в еквівалентний вираз *(*(a+i)+j).

 

ЗАВДАННЯ ДО ЛАБОРАТОРНОЇ РОБОТИ

Теоретичні відомості:

Завдання для практичного виконання:

1. Визначити найбiльший елемент серед найменших елементiв кожного рядка матрицi.

2. Для кожного стовпця матрицi знайти i надрукувати мiнiмальний елемент.

3. Для кожного рядка матрицi знайти i надрукувати номери стовпцiв, що вмiщують вiд’ємнi елементи.

4. Для кожного рядка матрицi знайти i надрукувати суму значень елементiв, що перевищують число Z.

5. Для кожного стовпця матрицi знайти i надрукувати суму значень вiд’ємних елементiв.

6. Для кожного рядка матрицi знайти i надрукувати кiлькiсть додатних елементiв.

7. Визначити i надрукувати найменшiй елемент матрицi та його iндекси.

8. Для кожного стовпця матрицi знайти i надрукувати номер рядкiв, що вмiщують вiд’ємнi елементи.

9. Для кожного стовпця матрицi знайти i надрукувати суму значень додатних елементiв.

10. Для кожного рядка матрицi знайти i надрукувати максимальний елемент.

11. Визначити i надрукувати кiлькiсть додатних елементiв матрицi.

12. Пiдрахувати кiлькiсть вiд’ємних елементiв, розмiщених нижче головної дiагоналi у квадратнiй матрицi.

13. Для кожного рядка матрицi знайти i роздрукувати суму значень вiд’ємних елементiв.

14. Для кожного стовпця матрицi знайти i надрукувати кiлькiсть елементiв, що по величинi не перевищує число Z.

15. Для кожного рядка матрицi знайти i надрукувати суму значень елементiв, розмiщених у стовпцях з парними номерами.

16. Визначити i надрукувати кiлькiсть вiд’ємних елементiв у кожному стовпцi матрицi.

17. Знайти максимальний по модулю елемент матрицi. Надрукувати його значення та iндекси.

18. Знайти i надрукувати суму значень додатних елементiв матрицi.

19. Для кожного рядка матрицi визначити i надрукувати кiлькiсть елементiв, значення яких перевищує число Z.

20. Для кожного стовпця матрицi визначити i надрукувати суму значень елементiв, розмiщених у рядках з непарними номерами.

21. Для кожного рядка матрицi надрукувати номери стовпцiв, що вмiщують додатнi елементи.

22. Пронормувати матрицю, подiливши елементи кожного рядка на найбiльший по модулю його елемент.

23. Визначити i надрукувати кiлькiсть додатнiх елементiв кожного стовпця матрицi.

24. Визначити мiнiмальний елемент кожного рядка матрицi. Надрукувати його значення та iндекси.

25. Знайти суму додатних елементiв квадратної матрицi, що розмiщенi над її головною дiагоналлю.

26. Знайти суму додатних елементiв квадратної матрицi, що розмiщенi на її головнiй та стороннiй дiагоналях.

27. Для кожного стовпця матрицi знайти i надрукувати кiлькiсть елементiв, значення яких не перевищує числа Z.

28. Знайти i надрукувати добуток значень вiд’ємних елементiв матрицi.

29. Для кожного рядка матрицi знайти i надрукувати суму значень елементiв, що розмiщенi у стовпцях з непарними номерами.

30. Знайти i надрукувати суму значень вiд’ємних елементiв матрицi.

 

Лабораторна робота № 10

Дослідження транзисторів по схемі із спільним емітером

Мета роботи: Вивчення особливостей роботи транзистора по схемі із спільним емітером. Зняти вхідну і вихідну статичні характеристики, визначати коефіцієнт підсилення по струму і вхідний опір транзистора.

Обладнання: 1. ПК

2. Multisim V2001, Microsoft Excel.

3. Cтенд

Теоретичні данні.

Біполярним транзистором називають електроперетворювальний прилад, який складається із трьох областей з чергуванням типів електропровідностей які придатні для підсилення потужності.

У біполярних транзисторів середній шар називають базою (Б). зовнішній шар, який є джерелом носіїв заряду і який створює струм приладу, - емітером (Е), другий зовнішній шар - колектором (К), який приймає носії заряду, які поступають від емітера.

Як основну схему включення біполярного транзистора застосовують схему включення із спільним емітером. Для такої схеми вхідний контур проходить через перехід база - емітер і в ньому виникає струм бази:

І_Б = І_Е-І_К = (1-α)І_Е

Мале значення струму бази на вхідному контурі і зумовило широке застосування схеми із спільним емітером.

Схема для зняття характеристик транзистора із спільним емітером приведена на малюнку.

Для підбору елементів схеми необхідно знати параметри
транзистора, який досліджується. Основні параметри деяких
транзисторів типу р-n-р дані в таблиці 1:

Таблиця 1.

Тип транзистора	Найбільший струм колектора в режимі підсилення ІКмах, мА	Найбільша напруга між колектором і базою UБКмах, В	Найбільша напруга між колектором і емітером Uкемах, В	Найбільша зворотна напруга між емітером і базою UБЕмах, В
МП40(П14) МП41(П15) П202 П403	20 2*10 3	15 15 45 10	15 15 55 10	15 15