Студопедия — СНиП ІІ-4-79 С.29
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

СНиП ІІ-4-79 С.29






 


и пожарных проездах, а также на улицах и до­рогах сельских населенных пунктов частичное и полное отключение освещения в ночное вре­мя не допускается.

5.16. На улицах, дорогах и транспортных зонах площадей категорий А и Б показатель ослепленности для осветительных установок не должен превышать 150.

Для осветительных установок улиц и дорог категории В, а также осветительных устано­вок, уровень освещения которых регламенти­руется нормами средней освещенности, наи­меньшая высота расположения светильников по условиям ограничения ослепленности дол­жна приниматься по табл. 18.

Светильники наружного освещения, уста­новленные на стенах зданий, не должны засвечивать окна жилых зданий.

5.17. В установках наружного освещения при средней яркости дорожного покрытия 0,4 кд/м2 и более и средней освещенности 4 лк и более следует применять преимущественно светильники с газоразрядными источниками света.

5.18. Над проезжей частью улиц, дорог и площадей светильники должны устанавли­ваться на высоте не менее 6,5 м.

Высота подвеса светильников при их рас­положении над контактной сетью трамвая должна быть не менее 8 м от уровня головок рельсов, при расположении над контактной се­тью троллейбуса — не менее 9 м от уровня проезжей части.

5.19. Минимальная высота установки све­тильников в парапетах мостов и путепроводов не ограничивается при условии обеспечения защитного угла не менее 10° и исключения возможности доступа к лампам без примене­ния специального инструмента.

5.20. В транспортных тоннелях должны применяться светильники с защитным углом не менее 10°. Высота их расположения должна быть не менее 4 м.

5.21. В пешеходных тоннелях должны ис­пользоваться светильники:

а) с защитным углом не менее 15°—для люминесцентных ламп суммарной мощностью не более 80 Вт и ламп ДРЛ мощностью не бо­лее 125 Вт;

б) с матированными и молочными рассеи-вателями без отражателей — для ламп ДРЛ мощностью не более 125 Вт.

5.22. При необходимости освещения архи­тектурных объектов следует руководствовать­ся прил.8.


Проекты освещения архитектурных объек­тов следует разрабатывать только на основа­нии решений исполкомов городских (район­ных) Советов народных депутатов.

 

Приложение 1

ТЕРМИНЫ

Общие термины

1. Рабочая поверхность —поверхность, на которой производится работа и на которой нормируется или из­меряется освещенность.

2. Условная рабочая поверхность — условно приня­тая горизонтальная поверхность, расположенная на вы­соте 0,8 м от пола.

3. Коэффициент запаса К.3 расчетный коэффици­ент, учитывающий снижение КЕО и освещенности в процессе эксплуатации вследствие загрязнения и старе­ния светопрозрачных заполнений в световых проемах, источников света (ламп) и светильников, а также сни­жение отражающих свойств поверхностей помещения.

4. Характерный разрез помещения — поперечный разрез посередине помещения, плоскость которого пер­пендикулярна к плоскости остекления световых проемов (при боковом освещении) или к продольной оси проле­тов помещения. В характерный разрез помещения долж­ны попадать участки с наибольшим количеством рабочих мест, а также точки рабочей зоны, наиболее уда­ленные от световых проемов.

5. Объект различения — рассматриваемый предмет, отдельная его часть или дефект, которые требуется раз­личать в процессе работы.

6. Фон — поверхность, прилегающая непосредствен­но к объекту различения, на которой он рассматрива­ется.

Фон считается:

светлым — при коэффициенте отражения поверхно­сти более 0,4;

средним — при коэффициенте отражения поверхно­сти от 0,2 до 0,4;

темным — при коэффициенте отражения поверхно­сти менее 0,2.

7. Контраст объекта различения с фоном К. опреде­ляется отношением абсолютной величины разности меж­ду яркостью объекта и фона к яркости фона. Контраст объекта различения с фоном считается:

большим — при значении К более 0,5 (объект и фон резко отличаются по яркости);

средним — при значениях К от 0,2 до 0,5 (объект и фон заметно отличаются по яркости);

малым — при значениях К менее 0,2 (объект и фон мало отличаются по яркости).







Дата добавления: 2015-08-30; просмотров: 333. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...

Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...

Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...

Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...

Искусство подбора персонала. Как оценить человека за час Искусство подбора персонала. Как оценить человека за час...

Этапы творческого процесса в изобразительной деятельности По мнению многих авторов, возникновение творческого начала в детской художественной практике носит такой же поэтапный характер, как и процесс творчества у мастеров искусства...

Тема 5. Анализ количественного и качественного состава персонала Персонал является одним из важнейших факторов в организации. Его состояние и эффективное использование прямо влияет на конечные результаты хозяйственной деятельности организации.

Метод Фольгарда (роданометрия или тиоцианатометрия) Метод Фольгарда основан на применении в качестве осадителя титрованного раствора, содержащего роданид-ионы SCN...

Потенциометрия. Потенциометрическое определение рН растворов Потенциометрия - это электрохимический метод иссле­дования и анализа веществ, основанный на зависимости равновесного электродного потенциала Е от активности (концентрации) определяемого вещества в исследуемом рас­творе...

Гальванического элемента При контакте двух любых фаз на границе их раздела возникает двойной электрический слой (ДЭС), состоящий из равных по величине, но противоположных по знаку электрических зарядов...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.008 сек.) русская версия | украинская версия