Барьерная емкость p-n переходаБарьерную емкость p-n перехода можна сравнить с емкостью плоского конденсатора, обложками которого выступают границы слоя пространственного заряда. Эта емкость вызвана изменением обьемного заряда при изменении внешнего напряжения. Барьерная емкотсь для несимметричного перехода, когда NA>>ND:
Для плавного перехода с линейным распределением примесей:
Зависимость барьерной емкости p-n перехода от напрядения:
Зависимость барьерной емкости от напряжения определяется законом распределения примесей на участке перехода. В сплавленых переходах с равномерным распределением примесей по координате x зависимость Cбар = f(U) более резкая чем в диффузионных. Это вызвано тем, что ширина перехода и её прирост Δ l с изменением напряжения зависят от удельного сопротивления областей p и n. В сплавных переходах удельное сопротивление не изменяется по координате x, поэтому одинаковым приращениям Δ U соответствуют одинаковые приращения Δ l. В диффузионых переходах с удалением от метеллургической границы удельное сопротивление уменьшается, поэтому с повышением напряжения приращение Δ l уменьшается.
|
