Методика проведения опыта. Рис. 7.2.26. Схема исследования усилителя на биполярных транзисторах1. Собрать схему по рис. 7.2.26.
Рис. 7.2.26. Схема исследования усилителя на биполярных транзисторах
При исследовании схемы усилителя используется осциллограф. Лабораторная установка позволяет изучить амплитудную характеристику усилителя. В этом случае в качестве исследуемого транзистора используется транзистор КТ315Г проводимостью n-p-n с параметрами: IK max =100 мА; РК max = 150 мВт; UK.Э. = 35 В; UKБ max = 35 В; UЭБ max = 6 B; f = 100 МГц.
Рис. 7.2.27. Амплитудная характеристика усилителя
На вход усилителя подается входное напряжения через S22. По результатам измерений определяют допустимую область измерения входного напряжения, используя амплитудную характеристику усилителя UВЫХ max = f (UВХ max) (рис. 7.2.27). Эта характеристика не проходит через начало координат. Это объясняется наличием собственных шумов усилителя, создаваемыми внешними электрическими и магнитными полями. 2. Рассчитать параметры Зависимость тока коллектора транзистора IK от тока эмиттера IЭ выражается коэффициентом a.
так как то Коэффициент усиления по току
или следовательно, где KU – коэффициент усиления по напряжению:
На вход подается сигнал Таблица 7.2.5
|
,
,
.
:
,
,
,
.
, он вызывает выходной сигнал UВЫХ той же частоты w, амплитуда которой определяется по осциллограмме (временной диаграмме) экспериментально.
